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垂直式磁化材料優點多 磁性記憶體儲存/性能增

文‧楊姍意 發布日期:2020/01/02 關鍵字:MRAMSTT-MRAMSOT-MRAMTMR工研院

垂直自旋傳輸記憶體在密度、容量、耗能等方面優於傳統水平式傳輸記憶體,可克服降低寫入電流和提高元件熱穩定挑戰。

磁性記憶體(MRAM)具有應用於非揮發性嵌入式記憶體的潛力。相較於傳統的磁場寫入方式之磁性記憶體而言,自旋傳輸磁性記憶體不論是在密度、容量、耗能、速度、尺寸微縮化以及製程成本上都有很大的優點。目前各研究團隊針對自旋傳輸磁性幾乎都已經進展為垂直式磁化材料為主,這種垂直式自旋傳輸磁性記憶體相較於傳統的水平式傳輸磁性材料,可改善水平式傳輸材料無法同時滿足降低元件寫入電流與提高元件的熱穩定性的難題。

以垂直式磁化材料取代水平式磁化材料被認為是解決上述問題最可行的方法。本篇文章將探討垂直式自旋傳輸翻轉的特性,並且介紹目前國際上以及本團隊關於垂直式自旋傳輸磁性記憶體與其他相關熱門磁性研究的發展現況。

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