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窄脈寬/高電流/低寄生電感兼具 eGaN推進車用光達應用

文‧Alex Lidow 發布日期:2020/06/01 關鍵字:eGaN FET NIR ToF VCSEL DToF Si MOSFET

用於探測和測距的光學雷達(LiDAR)是雷達的一種形式,其電磁波恰好在光學波段範圍內。在過去的幾年中,作為光學雷達其中一種的飛行時間(Time-of-Flight, ToF)距離測量變得十分流行。如果使用雷射作為光源,即使在很遠處、小光點的距離也可以被測量到。如果結合使用光學轉向元件,就可以掃描光點距離測量值,並在3D空間中形成地圖物件(圖1)。

對於在自動駕駛和輔助駕駛等應用中為車輛提供眼睛的光學雷達系統而言,其需要短至數奈秒、甚至更窄的脈衝寬度來實現必要的距離解析度,而這類脈衝通常使用雷射二極體來產生。為了獲得足夠的距離測量範圍,峰值光功率必須要夠高。這意謂著雷射二極體的峰值電流將達到數十安培甚至數百安培。目前要產生這個數量等級的電流,通常需要使用複雜的電路及昂貴的特殊半導體元件。

 

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