充電晶片整合度再突破 功率密度不輸GaN - 熱門新聞 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics


熱門關鍵字:電源模組 | SiC | 機器視覺 | GaN | 5G

訂閱電子報

立刻輸入Email,獲取最新的資訊:


收藏功能:
分享報新知:
其他功能:

充電晶片整合度再突破 功率密度不輸GaN

文‧黃繼寬 發布日期:2020/08/12 關鍵字:USB Type-CUSB PD充電晶片

在氮化鎵(GaN)元件進入量產階段後,許多周邊配件業者與品牌商,都競相推出基於GaN元件的USB快速充電器,並以更快的充電速度,更小巧的體積作為其主要訴求。得益於寬能隙特性所具備的特性優勢,跟傳統矽材料相比,基於GaN元件的電源裝置確實在功率密度上有更大的提升空間,但這並不表示傳統的電源元件已經無法與GaN競爭。德州儀器(TI)近期便發表了一款整合功率路徑管理的升降壓電池充電器晶片,其效率可達97%,並且將功率密度拉高到155W/mm2,規格絲毫不遜於基於GaN材料的同類型晶片。

TI近期發表了兩款新一代升降壓電池充電器晶片--BQ25790和BQ25792,這兩款晶片可為USB Type-C和USB PD應用在全輸入電壓範圍(3.6V至24V)內為一到四節串聯電池充電,並提供高達5A的充電電流。充電器的整合雙輸入選擇器支援包括無線、USB、桶式電源插座(barrel jack)和太陽能充電在內的多類電源,同時提供快速充電。在充電功率達30W時,效率可高達97%。

除了效率之外,藉由高度整合,這兩款充電器晶片的功率密度達到155W/mm2,絲毫不遜於基於GaN材料的同類型晶片。據了解,這兩款元件整合了MOSFET、電池FET、電流感應電路和雙輸入選擇器。藉由高度整合,應用開發者在設計產品時,外部電子元件數量大為減少,這不僅有助於降低成本,同時也讓終端產品的尺寸變得更加小巧。

 

研討會專區
熱門文章