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宜普新200V氮化鎵產品系列性能加倍

發布日期:2020/09/01 關鍵字:宜普EPC氮化鎵 eGaN

宜普電源轉換公司(EPC)推出的兩款200V eGaN FET(EPC2215和EPC2207),性能更高的同時成本更低。採用這些領先氮化鎵元件的應用十分廣闊,包括D類音訊放大器、同步整流器、太陽能最大功率點追蹤器(MPPT)、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式),以及多電平高壓轉換器。

EPC2215(8mΩ、162Apulsed)和EPC2207(22mΩ、54Apulsed)的尺寸比前代200V eGaN元件大約縮小50%,而性能卻倍增。EPC2215的導通阻抗降低了33%,但尺寸卻縮小了15倍。其閘極電荷(QG)較基準矽MOSFET元件小十倍,並且與所有eGaN FET一樣,沒有反向恢復電荷(QRR),從而使得D類音訊放大器可以實現更低的失真,以及實現更高效的同步整流器和馬達控制器。

EPC首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示,最新一代的eGaN FET在具備更高效散熱的更小型尺寸內,實現更高的性能,而且其成本與傳統MOSFET元件相若。氮化鎵元件必然可替代逐漸老化的功率MOSFET元件的趨勢日益明顯。

EPC公司與德克薩斯大學奧斯丁分校的半導體功率電子中心(SPEC)合作開發了的400V、2.5kW、基於eGaN FET、四電平飛跨電容(FCML)圖騰柱無橋整流器,適用於資料中心,它使用了全新的200V氮化鎵場效應電晶體(EPC2215)。德克薩斯大學奧斯丁分校的Alex Huang教授說,氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的優越特性使得轉換器能夠實現高功率密度、超高效率和低諧波失真。

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