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DDR5導入潮即將到來 瑞薩搶推新一代資料緩衝器

文‧黃繼寬 發布日期:2020/09/10 關鍵字:RenesasI3CLRDIMM

標準組織JEDEC正式發表DDR5記憶體標準後,記憶體廠、處理器廠與眾多伺服器OEM廠商,都已經展開DDR5記憶體的升級/導入計畫,預計最快在2020年底到2021年初,就會有搭載DDR5記憶體的伺服器產品問世。由於導入DDR5已經成為大勢所趨,瑞薩(Renesas)近日發表了一款專為DDR5設計的資料緩衝器,可進一步提高CPU與記憶體模組之間的通訊頻寬。與DDR4 3200相比,採用DDR5資料緩衝器的DDR5頻寬,可再提高35%。

近年來即時分析、機器學習、HPC、AI,還有其他渴求記憶體和頻寬的應用產品持續發展,推動伺服器記憶體頻寬需求的爆炸性成長。瑞薩推出符合JEDEC標準的全新DDR5資料緩衝器5DB0148,為雙直插低負載DIMM(LRDIMM)提供顯著的高速和低延遲,LRDIMM已成為這類新型應用產品的記憶體技術基礎。以瑞薩元件為基礎的第一代DDR5 LRDIMM,比起以3200 MT/s運行的DDR4 LRDIMM,頻寬可再增加35%以上。

DDR5導入潮即將到來,瑞薩發表專為DDR5記憶體模組設計的資料緩衝器晶片 

瑞薩資料中心事業部副總裁Rami Sethi表示,身為業界的完整DDR5解決方案供應商,瑞薩正在與客戶和生態系統合作夥伴緊密合作,將大幅擴展的記憶體解決方案產品陣容投入量產。DDR5資料緩衝器對實現高性能DRAM解決方案極為關鍵,諸如LRDIMM、其他類型的高密度模組,以及多樣化記憶體解決方案,這些方案可使新世代高性能運算應用產品更加多樣化。

瑞薩DDR5資料緩衝器藉著減少電容性負載、資料對齊和訊號恢復技術的結合,可以讓重載通道的系統眼圖最大化。這就讓具有大量記憶體通道和插槽,以及複雜路由拓樸的伺服器主機板,也可以用最高速度運行,即使在裝滿高密度記憶體的情況下也是一樣。此外,DDR5模組定義的改進,允許用更低的電源電壓(1.1V,相對於DDR4的1.2V)、DIMM內建穩壓,以及先進控制平面架構的實現(其運用SPD集線器和現代控制匯流排通訊,例如I3C)。

瑞薩是業界自雙直插式記憶體模組問世以來,最資深的記憶體介面產品供應商,有開發完整晶片組解決方案的經驗。全新的瑞薩DDR5資料緩衝器5DB0148為最佳化完整解決方案家族的一分子,可與LRDIMM記憶體模組上的其他瑞薩DDR5元件無縫搭配,這些元件包括電源管理IC P8900、暫存器式時脈驅動器5RCD0148、SPD集線器SPD5118,以及溫度感測器TS5111。可確保採用瑞薩晶片組解決方案的記憶體供應商,擁有完整的互通性和穩定的品質。

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