透射率/導電性表現俱佳 銀奈米線取代氧化銦錫材料

銀奈米線(Silver Nanowire)的長寬比高,所構成的導電網絡相當稀鬆,可產生極高透光效果,且具有優異導電性與透射率(Transmission Rate),因而成為氧化銦錫(ITO)替代材料的首選,已逐漸用於觸控螢幕感測層及太陽能電池的上下層電極板。
2013 年 09 月 02 日

支援DALI通訊協定 32位元MCU加速智慧照明開發

數位可定址照明介面(DALI)係國際公認的開放式照明控制通訊協定,可控制不同廠商製造的燈具。產品設計人員使用支援DALI通訊協定的32位元微控制器(MCU),可輕鬆實現照明系統亮度及色彩的調節與控制,大幅縮短智慧照明系統開發時程。
2013 年 09 月 02 日

突破電路設計桎梏 32位元MCU功耗再降

物聯網與智慧生活風潮興起,帶動市場對高效能且低功耗的32位元微控制器(MCU)需求增溫,因此微控制器業者已積極從製程和中央處理器(CPU)核心選擇,以及電路設計等層面著手,以降低動態與靜態功耗,並兼顧整體運算效能。
2013 年 08 月 29 日

導入電流式恆定導通時間迴路 數位控制器告別有限週期困擾

現今常見的電壓式數位控制迴路架構,容易引起不可預測的有限週期,造成設計困難度與成本的增加。因此,半導體廠提出電流式恆定導通時間迴路的新架構,以適當限制振盪器的振幅,從而擺脫有限週期困擾,並簡化數位控制器晶片設計。
2013 年 08 月 26 日

結合RFID/霍爾元件/溫度感測器 MCU打造上鎖電源插座

電源插座開發商可藉由主系統晶片MCU,再搭配RFID模組、霍爾元件及溫度感測器,開發出具備上鎖功能的電源插座,並可達到精確的電流使用量計算,除防止竊電之外,更能實現使用者付費的機制。
2013 年 08 月 24 日

兼顧高耐壓與低Vce(sat)性能 650V場截止溝槽式IGBT走紅

絕緣閘雙極電晶體(IGBT)是一種少數載子功率元件,擁有高輸入阻抗和高雙極電流功能,這些特性使其適用於多種電力電子產品,特別是馬達驅動器、不斷電系統(UPS)、再生能源系統、焊接機、電磁爐,以及其他須支援高電流和高電壓的逆變器(Inverter)應用。
2013 年 08 月 22 日

選對PTC/ESD保護元件 USB 3.0電路可靠度大增

USB 3.0傳輸速率高達5Gbit/s,且電源匯流排也有高達900毫安培的最大輸出電流,因此電路電氣瞬變和過流故障的預防極為重要,設計人員必須慎選適當的熱敏電阻(PTC)和靜電放電(ESD)方案,才能確保訊號完整性,並降低系統故障風險。
2013 年 08 月 19 日

32位元MCU整合BCCU功能 LED照明調色/光更精準

BCCU可在不增加CPU負擔之下,自動執行指數調光,以及能使調光切換更順暢,為人眼所接受;也因此,LED照明系統開發商正借重配備BCCU功能的32位元MCU,開發出符合各種照明應用的產品。
2013 年 08 月 18 日

升壓轉換器助臂力 MCU實現單電池供電應用

電子產品開發商借助電池升壓轉換器,可打破過去MCU無法在低於2伏特電壓的單電池方案下運作的桎梏,藉此開發出外形精巧、更低成本、高效率、高性能、高可靠度及更簡化機構設計的單電池供電應用,以迎合市場對更小尺寸的要求。
2013 年 08 月 17 日

提升IGBT特性分析功能 線上工具加速功率級設計

為讓電子產品設計人員在最短時間內,完成新一代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件特性評估作業,功率半導體業者研發出更精密的線上設計工具,不僅能提供溫度和頻率等重要應用參數分析功能,更可協助工程師挑選出最適合的解決方案,提升功率級設計效率。
2013 年 08 月 15 日

MOCVD導入中央配送系統 LED金屬前導物配送精度躍升

為縮短LED磊晶生產週期,製造商無不致力改善有機金屬前導物的配送品質;而使用大容量供給罐的中央配送系統,可較當前業界常用的機載系統,提供更好的配送精度,有助提高MOCVD製程的參數穩定性,因而已日益受到市場重視。
2013 年 08 月 12 日

降低非線性元件IMD影響 頻譜分析儀精準度大躍進

上一期文章主要描述交互調變失真(IMD)的產生與抑制和如何將頻譜分析儀做最佳化設定。本文將介紹傳統窄頻寬中頻解析頻寬之頻譜分析儀與新一代寬頻中頻解析頻寬之頻譜分析儀中測量非線性交互調變失真的技術。
2013 年 08 月 11 日