TWS音質要求再上層樓　自調適演算法加值主動降噪

1989年美國Bose公司第一個生產出了主動降噪的產品，專為飛行員設計的主動降噪耳機。隨著近幾年真無線藍牙耳機(True Wireless Stereo, TWS)受到市場 關注，且消費者對主動降噪(ANC)的需求逐年增加，主動降噪技術幾乎成為了市場主流耳機的標配。目前主動降噪耳機有類比和數位兩種主流方案，類比主動降噪晶片優秀的低延遲特性使得耳機擁有較佳的降噪頻寬和降噪深度，但數位降噪方案憑藉強大的設計靈活性和友善的調試量產過...
2021 年 07 月 10 日

異質整合/3D封裝崛起　量測新需求應運而生

隨著傳統2D製程微縮能創造的成本效益越來越低，半導體業開始轉戰3D整合與異質整合。異質整合是將製造、組裝與封裝等多種不同的元件或具備不同特徵尺寸與材質的電晶體，整合進單一裝置或封裝裡，以提升全新一代裝置的效能。
2021 年 07 月 08 日

智慧影音串流大發生　5G行動網路組合技有撇步

隨著科技的進步與普及，AI智慧影音串流應用層出不窮。據此，未來5G行動 網路系統架構如何布建，攸關網路傳輸速度以及運算能力。 文字、圖片、聲音以及影片是人們傳遞資訊的基礎，然而隨著資訊網路發展演進，影音在整體網路流量比重越來越高[1]，預估在2022年有82%的流量會來自影音串流。
2021 年 07 月 05 日

善用TVS元件　車載設備/資料添保障

在設計、生產或維修環境中使用過整合式電子裝置的人員，都對防靜電或靜電放電(ESD)腕帶相當熟悉，並且知道其目的是在將IC插入PCB之前或之後為IC提供保護；由自然現象(例如雷擊)以及電氣操作環境人為產生的瞬態電壓，也會對IC元件造成威脅，且這個情況在工業和汽車產業等惡劣環境中，尤其明...
2021 年 07 月 03 日

眺望下世代通訊　6G關鍵技術陸續出列

雖然5G技術還在演進中，但產業與學術界領袖已經開始超前部署，設想6G的模樣。現階段還很難斷言6G標準究竟會有哪些具體要求，但許多6G所需要的關鍵技術，已經粗具輪廓。
2021 年 07 月 01 日

掌握可靠度驗證成功之道　釐清預處理/MSL試驗差異

關於可靠度驗證(Reliability Test或是Reliability Assurance, RA)相信大家都不陌生，何謂RA，就是以量化數據作為產品品質保證之依據，藉由實驗模擬，產品於既定時間內、特定使用環境條件，執行特定規格功能，成功完成工作目標的機率，以量化數據作為產品品質保證的依據。
2021 年 06 月 28 日

平台化彈性整合　建築物自動化求最大綜效

建築物自動化系統 (BAS) 將包括照明、能源、暖通空調HVAC、維安、防禦等元件整合成一個直覺性的操控系統，並在建築物營運效率以及居住人員生產力與舒適性之間取得平衡。儘管建築物自動化市場相當保守，但仍出現可觀的成長，背後的推動力量包括能源價格上揚、節約能源意識增高、以及政府機構消防與保全專案增加。另外，像是UL...
2021 年 06 月 25 日

低故障率設計架構　FPGA關鍵任務成功達陣

工業、汽車、通訊、航太和安全防禦市場針對關鍵任務(Mission-critical)應用的需求越來越大。如今，市面上有技術平台為用於關鍵任務系統的現場可程式化邏輯閘陣列(FPGA)提供了顯著的優勢。
2021 年 06 月 24 日

功能安全遵循國際認證　IEC 60730-1改善家用電器安全

許多設備簡化了家庭中的日常或定期活動，並幫助用戶以較小的壓力一致地執行它們。當它們正常工作時，它們很棒。但是，如果發生故障，某些設備可能會變得非常不安全，並會引起包括火災在內的重大問題。為了確保在設備中的設計安全性，國際電工委員會(IEC)創建了功能安全性IEC...
2021 年 06 月 21 日

數位電源安全/功率密集/高效率達陣　GaN FET/即時MCU相得益彰

伺服器與電信電源供應器是可從使用氮化鎵(GaN)中獲益的市場示例。數位通訊基礎架構市場持續成長，部分預期機架式伺服器市場將在接下來五年內增為兩倍，超大規模資料中心則會以將近20%的年複合成長率成長。
2021 年 06 月 20 日

為高密度I/O封裝搬開絆腳石　就地甲酸處理幫大忙

熱壓接合製程為先進封裝非常有指標性的3D封裝方法之一，其置件即局部回焊接合的製程方式，使得許多高精度且輕薄型的封裝應用得以實現。隨著伺服器、AI(人工智慧)、雲端、顯示卡及處理器等高效能運算晶片的需求量增加，在有限的晶片尺寸上實現I/O數量最大化，成為封裝技術發展的重點方向。
2021 年 06 月 17 日

滿足製程微縮需求　多孔低介電材料重要性日增

低介電材料(ILD)被用於電子設備的後端系統整合已有十多年的歷史。這些薄膜已經從細密的、單一前驅物的摻碳氧化物，進化到多孔的、架構前身和多孔的摻碳氧化物，或多孔的low-k薄膜(圖1)。為了降低介電常數k至2.5~2.6之間，孔隙率的提升是必要的，這是目前已經量產(HVM)的多孔low-k薄膜之現狀。
2021 年 06 月 14 日
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