瞄準超輕薄筆電(Ultrabook)、筆記型電腦及平板裝置終端用戶對於更高運算效能與反應速度的SSD需求，SanDisk已率先業界發布採用19奈米(nm)NAND Flash製造的固態硬碟(SSD)，以迎合消費者和個人電腦(PC)製造商對於更高運算效能及更快反應速度的要求。
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| SanDisk客戶儲存解決方案行銷總監Cliff Sun認為，今年NAND Flash產能吃緊，對SSD產業正向發展將有所助益。 |
SanDisk客戶儲存解決方案行銷總監Cliff Sun表示，現階段，三星(Samsung)、英特爾(Intel)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)及SanDisk前五大SSD供應商中，僅有SanDisk擁有自己的儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶圓廠，因此旗下SSD的成本更具競爭力，且能更快導入先進奈米製程投產新一代SSD方案。
據了解，SanDisk採用先進19奈米製程的SSD，還導入自家的智慧快閃記憶體架構–專利高效能分層系統架構(High-performance Tiered System Architecture)，以及該公司獨家的nCache加速技術，可達到更高性能、更快反應速度及更省電的水準。
Sun指出，該公司採用19奈米製程量產的SSD，每秒連續讀寫速度高達550MB/s，隨機讀取最高達95,000的每秒輸入輸出運轉次數(IOPS)，以及隨機寫入可達78,000 IOPS，因此更能滿足遊戲玩家與多媒體終端消費者用的筆記型電腦和平板裝置對於效能與反應速度的要求。
此外，為進一步協助筆電、Ultrabook及平板裝置品牌客戶降低整體物料清單(BOM)成本，SanDisk利用19奈米製程生產的新款SSD將內建自行開發的主控制器。不過Sun強調，儘管該公司已為19奈米SSD開發出專屬的控制器，但目前其他系列產品線仍持續採用邁威爾(Marvell)、LSI、SK Hynix等控制器業者供應的產品，至於對外採購的控制器比重則無法透露。
另一方面，針對二維(2D)NAND Flash將於10奈米製程面臨微縮瓶頸，Sun認為，IM Flash與東芝正擘畫的3D NAND製程可望突破NAND Flash微縮關卡，預期將成為NAND Flash生產技術的大勢所趨，不過該製程技術導入量產仍面臨諸多挑戰，因此日後SanDisk將會視客戶需求，再提出發展3D NAND製程的相關計畫。
