GCD技術突破 特徵分析加速MOSFET演進

2010 年 01 月 28 日
對先進大功率金屬氧化物場效電晶體(MOSFET)而言,為了提高成本效益,改進如導通阻抗(Rdson)、崩潰電壓(BVdss)和柵極電荷(Qg)等關鍵元件參數,同時大幅縮小電晶體尺寸都是十分重要的。要滿足這些嚴苛的要求,必須採用高效能的特徵化技術來分析垂直MOSFET的重要區域,如矽漂移(漏)區、漏到井結區域,以及源/阱金屬接觸區。
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