IR發表1,200V IGBT降低開關/傳導損耗

2011 年 09 月 12 日

全球功率半導體和管理方案供應廠商國際整流器(IR)推出為感應加熱、不斷電系統(UPS)、太陽能和焊接應用而設的可靠及高效1,200伏特絕緣閘雙極電晶體(IGBT)系列。
 



全新超高速1,200伏特IGBT系列利用纖薄晶圓場終止溝道技術,顯著降低開關及傳導損耗,從而為較高頻率提升功率密度和效率。這些元件不僅為不用短路功能的應用,如UPS、太陽能逆變器和焊接應用進一步優化,也為馬達驅動應用提供10微秒短路功能,與其它IR產品相輔相成。
 



IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示,IR全新超高速1,200伏特溝道IGBTs系列具備多種性能效益,有助提升系統的效率,同時通過降低開關的損耗及提高開關頻率,減少散熱器的尺寸與磁元件的數量,從而降低整體系統的成本。
 



新系列包括由20~50 安培廣泛電流的封裝元件,以及高達150安培電流的晶片產品。其主要效益包括寬方形逆向偏壓安全工作區(RBSOA)、正VCE(on)溫度係數,以及用來降低功率耗散和提升功率密度的低VCE(on)。此外,新元件還可選擇配置一個內部超高速軟恢復二極體與否。晶片產品也有利用焊前金屬(SFM)來改善溫度性能、可靠性及效率。
 



國際整流器網址:www.irf.com

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