IR 25V IRF6718採新款大罐型DirectFET封裝

2009 年 08 月 18 日

國際整流器(IR)推出IRF6718 DirectFET(MOSFET)。這款新型的25伏特元件提供業界最低的導通電阻(RDS(on)),並且針對動態ORing、熱切換及電子保險絲等直流電(DC)開關應用作出了最佳化。
 



IRF6718新款大型的DirectFET封裝中融入了國際整流器新一代矽技術,提供極低的RDS(on)–在10伏特Vgs一般只有0.5毫歐姆(mOhm),同時較D2PAK的面積小60%,而且厚度小85%。新元件大幅減少了與傳輸元件相關的傳導損耗,從而提高整體系統的效率。
 



該公司亞洲區銷售副總裁潘大偉表示,IRF6718是IR第一款採用大型DirectFET封裝的元件,較競爭對手的元件擁有更低的RDS(on),為高密度直流對直流(DC-DC)應用,如較D2PAK面積更少的伺服器,提供卓越的效率及熱效能。另外,該元件亦有助於節省電路板空間及整體系統的成本,因為在特定功率損耗下,它較現時的方案擁有較少的元件。此外,IRF6718為電子保險絲及熱切換電路,提供經已改良的安全操作區域(SOA)能力。該元件採用無鉛設計,並符合有害物質限用指令(RoHS)法規要求。
 



國際整流器網址:www.irf.com


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