iST集團建構MEMS G-Sensor標準失效分析流程

2013 年 10 月 22 日

在先端科技的蓬勃發展下,微機電系統(MEMS)元件已成為智慧產品的主要核心。為降低企業投入MEMS開發時,會有分析技術難以找出MEMS真正失效原因,iST集團-台灣宜特宣布成功建構出MEMS G-Sensor的標準失效分析流程。此流程亦被許多公司實際採用,目前全台開發MEMS G-sensor的公司中,約達九成在iST集團宜特幫助下解決失效問題。


iST集團營運長林正德指出,2007年預見此市場需求後即投入研發,全面布局MEMS等新興產品失效分析技術。這幾年在大量實務經驗深耕下,更於今年建立出MEMS標準失效分析流程。


iST集團觀察發現,許多公司欲了解MEMS元件的失效狀況時,由於對其結構的認知度、掌握度不夠,因此以傳統方式做開蓋(De-cap)觀察,容易造成元件汙染。此外,iST集團進一步指出,因元件為懸浮結構,以外力移除時易產生毀損。兩造影響下,容易造成元件汙染和應力破壞,不但沒有找出真因,反而製造更多失效盲點。為克服此問題,iST集團今年已成功開發出MEMS無污染的De-cap技術,結合無應力元件移除技術,以非破壞方式保留結構原貌,避開機械應力和汙染產生的非真因失效。


iST網址:www.istgroup.com

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