NTT DoCoMo與聯發科、瑞薩電子(Renesas Electronics)與諾基亞(Nokia)、英特爾(Intel)與英飛凌(Infineon)兩兩結盟瞄準長程演進計畫(LTE)晶片，甚至三星(Samsung)、樂金(LG)等手機大廠也開發LTE晶片，面對看似競爭的市場，採矽智財(IP)商業模式的高通(Qualcomm)卻是未受其害，先蒙其利。
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| 高通副總裁暨台灣區總經理張力行表示，雖然LTE TDD晶片產品較晚推出，但高通不認為已落後其他廠商，因LTE TDD市場才正起飛。 |
面對LTE分時雙工(TDD)與LTE分頻雙工( FDD)的參與者眾，2011年第一季營收創新高的高通全球市場行銷副總裁Dan Novak表示，事實上，三星與樂金的LTE晶片仍授權高通的矽智財(IP)，在大多數廠商依然授權高通IP的狀況下，高通自3G通訊時代建立起的授權商業模式，將不會改變。目前全球已有十一家廠商授權高通LTE IP進行產品研發，不過皆為單模LTE晶片，而非整合3G的雙模晶片。
高通副總裁暨台灣區總經理張力行補充，有鑑於目前授權高通IP的業者，大多數皆發展單模的LTE晶片，原因在於，這些公司並未具備3G的研發技術，因此市場將有所局限，更何況LTE勢必向下相容於寬頻分碼多重存取(WCDMA)、CDMA2000等3G技術，若未具備3G研發的能力，推出雙模整合晶片將有一定的門檻，而擁有完整技術研發能量的高通，預期在LTE市場仍可占據較佳位置。
與高通於3G開始即密切合作的安立知(Anritsu)，也認為高通可挾於3G市場的優勢，在LTE市場建立龍頭地位，安立知業務經理程世豪表示，LTE向下相容已成必然，若廠商僅具備LTE研發能力，進行雙模晶片研發時，一定得找3G業者合作，在技術無法完全掌控的情況下，將遭遇相當多的問題。高通已計畫在2012年初推出新一代手機應用處理器(Application Processor)，張力行透露，新的Krait採用28奈米(nm)製程，具備單、雙與四核心，且該晶片也將支援LTE TDD。
