NXP小型無鉛離散封裝散熱效果佳

2010 年 06 月 04 日

恩智浦(NXP)推出兩款最低0.65毫米的2毫米x2毫米小訊號離散無鉛封裝。透過具良好熱性能和導電性的無遮蔽散熱片,可提高塑膠表面封裝元件(SMD)封裝的壽命,並提供三/六引線(SOT1061/SOT1118)兩個版本。新產品包括26款FET-KY、雙P通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、低VCesat電晶體和肖特基(Schottky)整流器,最高功耗Ptot2.1瓦特。該性能約與標準封裝SOT89(SC-62)相當,但只需一半的電路板空間。
 



恩智浦半導體小訊號離散元件產品行銷經理Ralf Euler表示,電路板空間及功耗是現今輕薄型電池供電設備的設計關鍵,恩智浦提供一系列的小型封裝組合以支援業界發展更小尺寸的終端設備。新的產品線可應用於行動設備、智慧型手機和筆記型電腦中高性能充電電路、負載開關及開關模式電源(SMPS)。
 



SOT1061和SOT1118封裝中不含鹵素與氧化銻,並符合耐燃性等級UL 94V-0和RoHS標準。採用SOT1118封裝的雙P通道MOSFET/ FET-KY(PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMDPB65UP)。提供額外1千伏特(kV)(HBM) 靜電放電(ESD)保護,提高穩健性
 



在具有ESD保護的20伏特級別的產品中,新的FET-KY(PMFPB6532UP和PMFPB6545UP)導通電阻很低,閘電壓(VGS4.5),下額定電阻為80毫歐姆。為提高效能,在電流1安培時其正向導通電壓(VF)領先業界,分別為365和520毫伏特。雙P通道MOSFET PMDPB65UP在4.5伏特的VGS下擁有低至70毫歐姆的導通電阻,是高效電源管理應用的理想選擇。
 



SOT1061和SOT1118中所有新的離散元件的樣品可立即用於應用設計。SOT1061中的低VCesat(BISS)電晶體和低VF單肖特基整流器已可接受訂購。SOT1118封裝的P通道MOSFET和FET-KY產品線以及SOT1061封裝的雙肖特基整流器將在今年六月底量產供貨。
 



恩智浦網址:www.nxp.com

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