確保碳化矽電源系統可靠度 元件溫度不宜超過鋁熔點

碳化矽功率元件的本質載子濃度(ni)在室溫下非常低,約在1X10-9cm-3,當溫度上升到超過1,200℃時,才會趨近於磊晶背景的濃度。當元件溫度升高到這個水準,由於本質載子濃度與摻雜濃度相近,碳化矽功率元件的特性將消失,造成其無法正常工作,進而可能發生熱跑脫(Thermal...
2024 年 01 月 11 日

登入會員

本站程式甫於2022.5.5更新,
所有舊會員必須先點擊:
忘記密碼 進行密碼確認後,才能正常登入。

上述動作目的在於確保帳號安全性,造成不便懇請見諒。如您已重設過密碼,請忽略此訊息。