善用背向分析技術 基板移除速找GaN晶片異常點(1)

第三類半導體因具有寬能隙、低漏電、耐高電壓及高溫等特性,且其能源轉換效率更好,因此普遍被應用於功率元件。而氮化鎵元件可支援更高的開關切換頻率,並提供極佳的功率密度,在相同電氣性能下,可有效縮減整體系統的尺寸。...
2024 年 01 月 08 日

善用背向分析技術 基板移除速找GaN晶片異常點(2)

第三類半導體因具有寬能隙、低漏電、耐高電壓及高溫等特性,且其能源轉換效率更好,因此普遍被應用於功率元件。而氮化鎵元件可支援更高的開關切換頻率,並提供極佳的功率密度,在相同電氣性能下,可有效縮減整體系統的尺寸。...
2024 年 01 月 08 日

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