剖析BSIM3v3模型萃取方式(下) 掌握元件模型參數加速偵錯

積體電路技術不斷地提升,元件模型的準確度與產出速度面臨嚴峻挑戰,當元件尺寸縮小時會發生許多複雜的物理效應,造成模型常用的數學方程式無法符合實際物理機制...
2006 年 05 月 05 日

剖析BSIM3v3模型萃取方式(上) 元件模型參數再進化

BSIM3模型是由加州大學柏克萊分校(UC Berkeley)在1993年發表的重要技術,而此元件模型可用來模擬含括0.18μm (0.1×10-6m)MOS元件的類比電路及數位電路...
2006 年 04 月 10 日
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