發揮長期隔離能力 閘極驅動器功率極限再進化

隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改良,以及氮化鎵和碳化矽技術的推出,功率轉換器/逆變器的功率密度也跟著提升。本文將探討藉由對IGBT/MOSFET電源開關進行破壞性檢測,分析閘極驅動器的隔離耐受能力。
2019 年 04 月 11 日