利用單端1.6kW L波段電晶體 高功率GaN提升RF性能

設備設計師經常遇到高功率要求的難題,這是單個固態器件遠遠無法滿足的要求。雖然橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)器件具有比較高的功率,但氮化鎵(GaN)技術為設計師帶來了更高的功率密度和效率,能夠在更小封裝尺寸內實現更高的功率,從而可縮小最終設計方案的整體尺寸。
2017 年 12 月 14 日

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