克服DRAM微縮/耗電難題 無電容IGZO DRAM興起

動態隨機存取記憶體(DRAM)是傳統電腦架構內的主要記憶體,其記憶體單元是由一顆電容器(Capacitor)和一顆矽基電晶體(Transistor)所組成,因此這種架構又被稱為1T1C架構。電容器的功能是儲存電荷,電晶體則是用來讀取該電容,不論是讀取儲存的電荷量,或是儲存新的電荷。...
2025 年 07 月 14 日

SRAM微縮面臨瓶頸 SOT-MRAM技術可望接棒

數十年來,超高速且具揮發性的靜態隨機存取記憶體(SRAM)一直用來當作高性能運算架構的嵌入式快取記憶體;在這些架構中,SRAM置於一套緊鄰處理器的多層(L1、L2、L3等等)階層式系統內。其功能是儲存常用資料及快取指令,其中L1是速度最快的快取記憶體。SRAM位元密度的發展已經放緩一段時間了,而記憶體單元越來越容易面臨待機功耗的問題。...
2025 年 06 月 06 日

從2D FET到2D CFET 製程微縮帶動2D材料需求(1)

為延續摩爾定律(Moore’s Law),半導體製程微縮的技術創新方向不斷轉變。採用2D結構的互補式場效電晶體(CFET),將是下一個推動產業變革的技術。 近二十年來,受摩爾定律啟發的純電路微縮,已不再是預測CMOS技術節點演變的唯一指標。第一個徵兆出現在2005年左右,當時Dennard縮放已經開始放慢。(編按:Dennard定律是指在固定功耗下,製程節點升級可帶來的性能提升幅度)。...
2025 年 03 月 28 日

從2D FET到2D CFET 製程微縮帶動2D材料需求(2)

為延續摩爾定律(Moore’s Law),半導體製程微縮的技術創新方向不斷轉變。採用2D結構的互補式場效電晶體(CFET),將是下一個推動產業變革的技術。 引進較低性能的元件—imec採取的途徑...
2025 年 03 月 28 日