採用直接驅動設計 GaN FET開關控制效率增

高壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子移動率電晶體(HEMTs)的開關性能支持新的拓撲結構,能夠提升開關電源效率和密度。GaN的終端電容(Ciss/Coss/Crss)較低,且無第三象限反向恢復(Reverse...
2019 年 12 月 12 日

有效降低開關耗損保護裝置 GaN元件直接驅動更可靠

當設計開關電源時,主要的品質因數包括成本、尺寸和效率。此三項因數互相關聯。直接驅動GaN電晶體能夠有效降低開關的損耗、並提升轉換速率控制以及改善裝置保護功能,進而成就高效。
2017 年 07 月 17 日

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