Rambus宣布其運用Mobile Memory Initiative(MMI)所開發的最新晶片測試達到突破性功耗效能。最新的晶片測試結果顯示，高頻寬行動裝置的記憶體控制器透過MMI技術的運用可達到領先全球的2.2mW/Gbps功耗效能。
相較於初期的MMI晶片測試結果，此一數值減少將近三分之ㄧ的功耗，而且大幅超過LPDDR2 400記憶體控制器所能達到的 10mW/Gbps。採用MMI新技術的記憶體系統以 4.3Gbps 運作時，可使單一行動動態隨機存取記憶體(DRAM)裝置達到 17GB/s以上的記憶體頻寬。
Rambus的MMI提供訊號處理及記憶體架構專業知識，其中包括極低擺幅差動訊號、FlexClocking架構及進階電源狀態管理，可協助開發關鍵的創新技術。此外，Rambus的FlexPhase及微執行緒(Microthreading)技術亦大幅提升行動平台的功耗效能。
Rambus網址：www.rambus.com
