Soitec(Euronext Paris)日前宣布應用於65奈米線寬以下製程的應變絕緣矽(sSOI)晶圓已經面世，並成為業界首款因應未來需求而量產的商業基板。綜合應變絕緣矽的高移動速度優勢，以及絕緣層上覆矽具備的高速與低功率耗損特性，Soitec的新應變絕緣矽晶圓設計，可為新一代晶片帶來更多效能及功率上優勢。
應變絕緣矽未來發展方向Soitec指出，新一批應變絕緣矽基板之所以能吸引客戶的興趣，主要來自於市場與技術領導廠商希望能大幅提升電子移動速度，同時降低閘極的漏電與耗電量。此外，應變絕緣矽可協助克服CMOS製程感應的應變技術所帶來的收縮問題，並為調整頻寬間隙打開一扇門。
目前，Soitec為部分及完全耗盡裝置架構，提供應變絕緣矽產品。由於應變絕緣矽與目前絕緣層覆矽和CMOS的製程相容，並經證實可用於多鰭狀通道電晶體(FinFETs)或多閘極通道電晶體(Multigate FETs)、加上顯著的移動能力增加與未來延伸性，應變絕緣矽對65奈米以下的裝置來說，扮演十分重要的角色。
為達到客戶對發展中應變絕緣矽的要求，Soitec已將其300毫米應變絕緣矽平台從開發轉換到第一階段的量產，這與公司進一步擴展產能，以符合市場要求的策略計畫一致。
飛思卡爾即將受邀於SEMICON West 2006記者會中發表演說。Soitec將於2006
年7月11至13日，於加州舊金山市Moscone展覽中心舉辦的SEMICON West 2006展示，展示地點位於展覽中心北區5425號展位。
Soitec Group網址：www.soitec.com
