ST以45奈米CMOS射頻技術製作單晶片

2007 年 12 月 27 日

意法半導體(STMicroelectronics)宣布該公司成功採用CMOS 45奈米射頻(RF)製程技術製造出第一批功能性裝置(Funcational Device)。該技術對於下一代無線區域網路(WLAN)應用產品是必要的。
 



這些原型系統單晶片(SoC)是採用300毫米晶圓在該公司法國Crolles廠製造的,整合從檢測RF訊號到輸出用於作訊號處理的數位資料的全功能鏈。這些原型系統晶片具有先進的性能和高密度,在0.45每平方毫米的面積內整合低噪音放大器、混頻器、類比數位轉換器和濾波器,可工作在1.1伏特。
 



該公司半導體成就可歸功於其開發CMOS RF衍生技術及強化其採用45奈米和32奈米技術節點製造單晶片行動解決方案能力的公司策略。該成就還可歸功於該公司45奈米 CMOS RF衍生技術與其RF設計、模擬和特徵分析的專業能力。衍生技術是在標準CMOS核心技術平台作專屬修正(Proprietary Modifications),進而為特定應用領域提供附加功能。該公司類比/射頻衍生技術可將電阻、電容和電感等被動元件與高性能、高密度的數位邏輯功能元件整合在一起。
 



該公司表示,第一批晶片的測試結果充分證明其45奈米射頻衍生技術能夠提供下一代WLAN的解決方案。透過整合專有的製造程序,使成品晶片能夠具有多種應用功能,如整合性的射頻/類比功能或各類嵌入式記憶體功能,該技術顯示該公司能夠為核心CMOS平台帶來附加價值。
 



意法半導體網址:www.st.com

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