ST新功率MOSFET實現高能效開關性能

2015 年 09 月 21 日

意法半導體(ST)近期推出MDmesh M2系列新N-通道功率MOSFET–600V MDmesh M2 EP,可為伺服器、筆記型電腦、電信設備及消費性電子產品電源提供較高能效的電源解決方案,在低負載條件下的節能效果特別顯著,讓設計人員能夠開發更輕、更小的開關式電源,同時達到日益嚴苛的能效要求。


新產品整合該公司的條形佈局(Strip Layout)和新版垂直結構與較佳的擴散製程(Diffusion Process),擁有接近理想的開關設計,包括較低的導通電阻和關機開關損耗,是特別為超頻功率轉換器(f>150 kHz)專門設計。


新款產品系列的主要特性包括:具有較低的閘極電荷(Qg低至16 nC);針對輕負載條件提供較佳電容曲線(Capacitance Profile);針對軟體開關提供較佳閾值電壓(Vth)和閘極電阻(Rg)參數;具備穩定的本體二極體(Body Diode) 。


此外,新元件具備較低的開關損耗,特別是在低負載條件下,低損耗更為明顯,且關機能源(Eoff)還可降低20%;在硬開關轉換器中,關機損耗也同樣降低20%。而在低電流範圍內降低Eoff損耗,有助於提高低負載能效,進而協助電源廠商順利達成日益嚴苛的能效認證要求。


意法半導體網址:www.st.com

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