劍指寬能隙商機 英飛凌馬來西亞居林3廠啟用

為搶食低碳經濟帶來的功率半導體商機,英飛凌(Infineon)過去幾年一方面積極發動購併,同時也在產能方面做出大量投資。日前,該公司位於馬來西亞居林的居林3廠一期廠房已正式投入營運,待二期廠房落成後,該廠區將成為全球最大的八吋碳化矽(SiC)晶圓廠,同時也有氮化鎵(GaN)磊晶的生產能力,為英飛凌在寬能隙功率半導體領域的競爭力,打下更穩固的基礎。...
2024 年 08 月 09 日

WBG技術日新月異 應用普及障礙逐一掃除(1)

高效能運算、電動車等應用的背後,都需要更先進的電源技術支撐,市場對寬能隙半導體技術的需求亦隨之出現爆發式成長。巨大的潛在商機進一步帶動產學研大舉投入,讓技術、產品快速迭代,讓整個產業呈現出朝氣蓬勃的氣象。...
2024 年 07 月 01 日

WBG技術日新月異 應用普及障礙逐一掃除(2)

高效能運算、電動車等應用的背後,都需要更先進的電源技術支撐,市場對寬能隙半導體技術的需求亦隨之出現爆發式成長。巨大的潛在商機進一步帶動產學研大舉投入,讓技術、產品快速迭代,讓整個產業呈現出朝氣蓬勃的氣象。...
2024 年 07 月 01 日

電動車衝擊電網穩定 充電設備功能要求更全面(1)

電動車銷售量在過去幾年出現爆發式成長,電動車充電對電網穩定度的影響也隨之浮現。負責為電動車充電的充電樁首當其衝,不僅要持續提高功率密度跟效率,還必須考慮雙向傳輸以及與儲能系統連動等新的需求。 雖然各方均預期2024年將是電動車銷售量成長趨緩的一年,但經歷過去幾年爆發成長(圖1)後,目前全世界已經有數千萬輛電動車在路上奔馳。早在電動車風潮剛興起的時候,就有專家預估,數量龐大的電動車將成為電網穩定的隱憂。...
2024 年 03 月 28 日

應用障礙逐步掃除 WBG元件普及大步向前(1)

寬能隙元件能為電源、逆變器等功率應用帶來極大的效益,但在設計導入方面也有相當的門檻存在。因此,如何降低設計導入的門檻,成為供應商必須面對的課題。 寬能隙(WBG)元件能讓電源、逆變器等設備的功率密度大幅增加,被認為是足以讓電力電子、馬達驅動等應用進入全新時代的革命性技術。然而,不管是碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN),都有著與傳統矽元件不盡相同的特性,尤其是氮化鎵,其操作頻率、驅動方式,都跟矽元件有著極大的差異。...
2023 年 07 月 03 日

被動元件材料不斷創新 功率密度更上一層樓(1)

提高功率密度是電源應用開發者持續追求的目標,也是寬能隙元件能在高階電源市場上迅速普及開來的主因。但若要發揮寬能隙元件的全部潛力,被動元件也必須與時俱進,許多基於新材料的被動元件隨之誕生。 為什麼提高功率密度是轉換器設計人員之重要目標?不論是資料中心伺服器等能源密集型系統,還是路上越來越智慧的車輛,為其供電的電源轉換電路需要能夠在更小空間內處理更大功率。真的就那麼簡單。...
2023 年 06 月 30 日

被動元件材料不斷創新 功率密度更上一層樓(2)

提高功率密度是電源應用開發者持續追求的目標,也是寬能隙元件能在高階電源市場上迅速普及開來的主因。但若要發揮寬能隙元件的全部潛力,被動元件也必須與時俱進,許多基於新材料的被動元件隨之誕生。 除了在單體上透過材料創新取得技術突破外,KEMET還開發出一種暫態液相燒結(TLPS)技術。這是一種非焊接互連技術,能夠實現小尺寸高電容...
2023 年 06 月 30 日

功率密度追求無止境 被動元件成小型化設計關鍵(2)

機櫃空間寸土寸金,雲端服務大廠無不希望PSU的尺寸能越小越好。要實現更小巧的PSU設計,縮小被動元件的體積將是重點中的重點。 封裝進化讓PSU散熱更好解 除了縮小線圈外,如何縮小元件封裝尺寸跟提升散熱性能,也是PSU小型化的重要關鍵。英飛凌日前宣布,其高壓...
2023 年 04 月 28 日

功率密度追求無止境 被動元件成小型化設計關鍵(1)

機櫃空間寸土寸金,雲端服務大廠無不希望PSU的尺寸能越小越好。要實現更小巧的PSU設計,縮小被動元件的體積將是重點中的重點。  隨著開放運算計畫(OCP)所制定的M-CRPS規範大致底定,未來高階伺服器PSU的功率密度,勢必將突破100W/立方英吋大關。對PSU供應商而言,這是相當大的技術挑戰,因為PSU不只要小巧,還必須同時滿足效率、穩定性與EMI等要求。而且這些設計指標之間,有時是彼此矛盾的。...
2023 年 04 月 28 日

百瓦級大功率快充需求擴大 2025年GaN滲透率將超越五成

近期蘋果(Apple)發表了用於MacBook Pro的全新140W USB-C電源適配器,並首次採用了基於氮化鎵(GaN)的技術,顯示出百瓦級大功率快充產品進入成長期,加速第三代半導體消費應用的發展擴張。根據TrendForce研究指出,在GaN功率電晶體價格不斷下降(目前已逼近約1美元),以及技術方案愈趨成熟的態勢下,預估至2025年GaN在整體快充領域的市場滲透率將達到52%。...
2021 年 11 月 01 日

UnitedSiC第四代SiC元件添新品 750V方案或成後起之秀

碳化矽(SiC)功率元件製造商聯合碳化矽(UnitedSiC)於日前發表其第四代產品線的最新成員,其耐受電壓為750V,導通電阻(RDS(on))則降低至6mΩ,從而滿足電源設計人員對更高性能、更高效率的SiC...
2021 年 10 月 07 日