製造商衝刺產能 半導體資本設備支出年增17.1%

2014年半導體產業資本支出維持漲勢。市場研究機構Gartner指出,消費性電子產品需求提升以及記憶體售價上揚,激勵半導體廠在今年加碼投資,以提高產能,因而再度推升2014年半導體產業整體資本支出。 ...
2014 年 10 月 23 日

TSV助臂力 3D NAND記憶體性能更上層樓

矽穿孔(Through-silicon Via, TSV)將是三維NAND快閃記憶體(3D NAND Flash Memory)效能不斷提升的重要技術。現今NAND快閃記憶體已面臨製程微縮的瓶頸,各家廠商無不戮力開發3D...
2013 年 11 月 11 日

工研院技術突破 超低電壓晶片/NVRAM量產有望

鎖定行動裝置低耗電設計要求,工研院正全力發展0.6伏特以下超低電壓晶片,及低功耗非揮發性記憶體(NVRAM),並於近期展示初步研發成果;此將協助台灣IC設計業者提高SoC與記憶體技術實力,與美、日、韓業者爭搶行動裝置核心零組件商機。
2013 年 02 月 25 日

緊追日韓記憶體廠 工研院試產次世代NVRAM

工研院次世代非揮發性記憶體(NVRAM)即將試產。現有揮發性DRAM、SRAM及非揮發性快閃(Flash)記憶體,將分別面臨20或15奈米(nm)以下製程微縮的物理極限,難以持續改善晶片體積與耗電量;因此,除日韓一線記憶體廠正加緊量產新興磁性記憶體(MRAM)、電阻式記憶體(RRAM)外,工研院電光所亦攜手國內業者投入相關晶片研發,預計今年即可進入試產階段。 ...
2013 年 01 月 10 日

突破蝕刻技術關卡 3D記憶體位元密度再升級

三維高容量儲存型快閃記憶體(3D NAND Flash)位元密度可望更上層樓。受惠於半導體設備日趨精益,3D記憶體架構已可在有限的尺寸中,透過可實現高深寬比例的蝕刻技術,為3D記憶體在大小不一的溝槽中加入更多電晶體,精進其效能與儲存容量。 ...
2012 年 07 月 06 日

三星/海力士撐住 南韓IC銷售首度超越日本

南韓業者在全球IC市場的銷售額首度贏過日本。市調機構IC Insights公布2011年全球各區域市場IC銷售額排名,其中,北美IC供應商合計銷售金額達1,395億美元,再度蟬聯冠軍寶座;南韓IC業者的總銷售額則為422億美元,以2億美元之差,小勝日本業者,首次站上第二名位置。 ...
2012 年 02 月 07 日

專訪高智發明授權業務部門副總裁Don Merino 專利技術為DRAM廠翻身利器

南亞科日前與高智發明(Intellectual Ventures)簽署智慧財產授權合約,為其與爾必達(Elpida)間專利訴訟增添利器。值此南亞科與爾必達專利攻防之際,高智發明與南亞科的專利合作,除能有效防堵爾必達攻勢,助力南亞科備齊談判籌碼、強化反擊力道外,更可藉高智發明的快閃(Flash)記憶體專利陣容,加快轉型速度,擺脫動態隨機儲存記憶體(DRAM)「慘」業的發展陰霾。
2012 年 01 月 19 日

高智發明專利奧援 南亞反咬爾必達更有力

南亞科1日與高智發明(Intellectual Ventures)簽署智慧財產授權合約,為其與爾必達(Elpida)間專利訴訟增添利器。值此南亞科與爾必達專利攻防之際,高智發明與南亞科的專利合作,除能有效防堵爾必達攻勢,助力南亞科備齊談判籌碼、強化反擊力道外,更可藉高智發明的快閃(Flash)記憶體專利陣容,加快轉型速度,擺脫動態隨機儲存記憶體(DRAM)「慘」業的發展陰霾。 ...
2011 年 12 月 02 日

SSD需求增 NAND Flash廠擴充產能

隨儲存式快閃記憶體(NAND Flash Memory)製程演進,固態硬碟(SSD)價格急速滑落,將有助擴大市場需求。看準此一商機,許多東芝(Toshiba)、三星(Samsung)與美光(Micron)等NAND...
2011 年 02 月 24 日