安森美升級版功率模組助力太陽能發電/儲能發展

安森美(onsemi)推出採用F5BP封裝的最新一代矽和碳化矽混合功率整合模組(PIM)，適合用於提高大型太陽能組串式逆變器或儲能系統(ESS)的功率。與前幾代產品相比，這些模組在相同尺寸下提供了更高的功率密度和效率，將太陽能逆變器的總系統功率從300kW提高至350kW。這意味著，使用最新一代模組的裝機容量為10億瓦(GW)的大型太陽能發電場，每小時可實現近2百萬瓦(MW)的節能效果，相當於每年為超過700戶家庭供電。此外，要達到與上一代產品相同的功率，所需的模組數量更少，可將功率元件的零組件成本降低25%以上。...
2024 年 08 月 29 日

劍指寬能隙商機　英飛凌馬來西亞居林3廠啟用

為搶食低碳經濟帶來的功率半導體商機，英飛凌(Infineon)過去幾年一方面積極發動購併，同時也在產能方面做出大量投資。日前，該公司位於馬來西亞居林的居林3廠一期廠房已正式投入營運，待二期廠房落成後，該廠區將成為全球最大的八吋碳化矽(SiC)晶圓廠，同時也有氮化鎵(GaN)磊晶的生產能力，為英飛凌在寬能隙功率半導體領域的競爭力，打下更穩固的基礎。...
2024 年 08 月 09 日

WBG技術日新月異　應用普及障礙逐一掃除(1)

高效能運算、電動車等應用的背後，都需要更先進的電源技術支撐，市場對寬能隙半導體技術的需求亦隨之出現爆發式成長。巨大的潛在商機進一步帶動產學研大舉投入，讓技術、產品快速迭代，讓整個產業呈現出朝氣蓬勃的氣象。...
2024 年 07 月 01 日

WBG技術日新月異　應用普及障礙逐一掃除(2)

高效能運算、電動車等應用的背後，都需要更先進的電源技術支撐，市場對寬能隙半導體技術的需求亦隨之出現爆發式成長。巨大的潛在商機進一步帶動產學研大舉投入，讓技術、產品快速迭代，讓整個產業呈現出朝氣蓬勃的氣象。...
2024 年 07 月 01 日

意法穩居全球碳化矽元件商龍頭　安森美躍居第二

根據TrendForce研究顯示，2023年全球SiC功率元件產業在純電動汽車應用的驅動下保持強勁成長，前五大SiC功率元件供應商約占整體營收91.9%，其中意法半導體(ST)以32.6%市占率持續領先，安森美(onsemi)則是由2022年的第四名上升至第二名。...
2024 年 06 月 24 日

英飛凌/Wolfspeed擴展多年期碳化矽6吋晶圓供應協定

英飛凌(Infineon)與Wolfspeed共同宣布擴大並延長雙方既有的，於2018年2月所簽署的長期6吋碳化矽(SiC)晶圓供應協定。擴展的合作範圍包括一個多年期的產能預訂協定，這有助於英飛凌整體供應鏈的穩定，以因應汽車、太陽能、電動車應用以及儲能系統等對碳化矽半導體需求成長的領域。...
2024 年 01 月 29 日

確保碳化矽電源系統可靠度　元件溫度不宜超過鋁熔點

碳化矽功率元件的本質載子濃度(ni)在室溫下非常低，約在1X10-9cm-3，當溫度上升到超過1,200℃時，才會趨近於磊晶背景的濃度。當元件溫度升高到這個水準，由於本質載子濃度與摻雜濃度相近，碳化矽功率元件的特性將消失，造成其無法正常工作，進而可能發生熱跑脫(Thermal...
2024 年 01 月 11 日

蔚華/南方聯手推出非破壞性SiC晶圓檢測方案

半導體測試解決方案供應商蔚華科技與旗下數位光學品牌南方科技，近日共同推出JadeSiC-NK非破壞性缺陷檢測系統。該檢測系統是專為碳化矽晶圓的缺陷檢測而設計，可協助碳化矽晶圓供應商跟使用碳化矽材料製造元件的業者實現100%檢測，不僅能節省碳化矽晶圓的成本，還可協助基板跟元件製造商實現更全面的製程分析與控制，進而提高產品良率。...
2023 年 11 月 28 日

英飛凌宣布興建全球最大8吋SiC功率晶圓廠

英飛凌科技(Infineon)宣布將大幅擴建馬來西亞居林(Kulim)晶圓廠，繼之前於2022年2月宣布的投資計畫之外，將打造全球最大的8吋碳化矽(SiC)功率晶圓廠。這項擴建計畫的背後是客戶的承諾與支持，包含了約50億歐元在汽車與工業應用的design-win案件，以及約10億歐元的預付款。...
2023 年 08 月 07 日

環旭電子首席技術長方永城：彈性經營並深耕汽車電子

整體而言，環旭USI的發展策略有三個部分：全球化、多元化、模組化，從這三個面向去發展產品跟業務，所以大概在七八年前，就已經開始進行全球布局。多元化是指從不同的產品面向，USI發展汽車電子、通訊、工業與消費性電子等領域，所以多元化就是讓我們不只是專注在某一個產品，是穩健的在各個領域，都要同步發展。模組化也是重點，像SiP或是微小化這部分，環旭這十年來，已經生產銷售了50億個模組，一年大概5億。...
2023 年 08 月 05 日

應用障礙逐步掃除　WBG元件普及大步向前(2)

寬能隙元件能為電源、逆變器等功率應用帶來極大的效益，但在設計導入方面也有相當的門檻存在。因此，如何降低設計導入的門檻，成為供應商必須面對的課題。 GaN驅動難題有解　台達實現百瓦功率密度 同樣屬於寬能隙半導體的氮化鎵功率元件，也跟碳化矽元件一樣，能協助電源開發者實現更高的電源密度。然而，氮化鎵元件的驅動與控制方式與矽元件大相逕庭，因此在高功率應用的設計開發上，有比較多技術議題需要克服。...
2023 年 07 月 03 日

應用障礙逐步掃除　WBG元件普及大步向前(1)

寬能隙元件能為電源、逆變器等功率應用帶來極大的效益，但在設計導入方面也有相當的門檻存在。因此，如何降低設計導入的門檻，成為供應商必須面對的課題。 寬能隙(WBG)元件能讓電源、逆變器等設備的功率密度大幅增加，被認為是足以讓電力電子、馬達驅動等應用進入全新時代的革命性技術。然而，不管是碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)，都有著與傳統矽元件不盡相同的特性，尤其是氮化鎵，其操作頻率、驅動方式，都跟矽元件有著極大的差異。...
2023 年 07 月 03 日
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