劍指GaN市場　英飛凌CoolGaN新品來勢洶洶

氮化鎵(GaN)近年於電源應用領域大行其道，商機也因而快速成長。而為穩固電源晶片市占龍頭寶座，並搶攻GaN市場版圖，電源晶片供應商英飛凌(Infineon)也趁勢推出新一代GaN解決方案「CoolGaN...
2018 年 12 月 06 日

收購/新品發布　英飛凌強力布局SiC/GaN市場

因應節能減碳風潮，寬能隙半導體如氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等需求逐漸上揚，商機也跟著加速成長。為搶占市場先機，電源晶片供應商英飛凌(Infineon)近日動作頻頻，不僅收購位於德國德勒斯登的新創公司Siltectra，獲得其創新冷切割技術(Cold...
2018 年 11 月 20 日

GaN助力無線充電　磁共振充電功率/距離再提升

氮化鎵(GaN)功率元件具備高開關速度、切換損失等性能優勢，持續為電力電子應用打開更多可能性。其中，基於氮化鎵技術的磁共振(Magnetic Resonance, MR)無線充電，將能使得50W以上無線充電功能更快實現，...
2018 年 11 月 07 日

功率密度要求持續提升　TI 推GaN新品實現千瓦應用

隨著科技演進，無論是在消費電子、工業自動化或是雲端運算帶來的伺服器，各個領域都在追求更高的功率密度，以達到逐漸提升的電力要求。目前，功率元件以MOSFET為主流，但已有廠商陸續推出氮化鎵(GaN)材料元件，以做到更高的切換頻率與晶片尺寸。德州儀器(TI)日前推出的GaN...
2018 年 11 月 05 日

Exagan進駐台灣　GaN電源晶片產業再添新面孔

氮化鎵(GaN)材料正在電源應用領域掀起革命，許多電源元件的老將新秀都已紛紛投入。來自法國的艾斯剛(Exagan)也宣布將在台灣設立其第一個海外據點，加速開拓亞洲市場。 艾斯剛執行長Frederic Dupont表示，亞洲是電源轉換跟電源供應器相關產品的研發、製造大本營，設立亞洲據點，對公司的發展非常關鍵。藉由在台設立銷售與應用中心，艾斯剛能更密切地與本地的客戶合作。...
2018 年 10 月 23 日

瞄準GaN商機　ST攜手Leti開發矽基氮化鎵功率轉換技術

布局氮化鎵(GaN)市場，意法半導體(ST)近期宣布和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研發矽基氮化鎵功率切換元件製造技術，以滿足高效能、高功率的應用需求，例如電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器等。雙方將利用IRT奈米電子技術研究所的框架計劃，製程技術將會從Leti的200mm研發線移轉到ST的200mm晶圓試產線，預計2020年前投入運營。...
2018 年 10 月 02 日

SiC/GaN電源模組封裝材料2023年產業規模達19億美元

碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)正在推動新的電源封裝解決方案發展，市場研究組織Yole Développement表示，SiC技術逐步成為滿足工業要求的重要解決方案，市場估計2017年至2023年的複合年成長率(CAGR)達到29%。電源模組封裝材料產業在2017~2023年的CAGR為8.2%，產業規模將從12億美元成長到19億美元。...
2018 年 09 月 13 日

三大應用推波　GaN普及率節節高升

氮化鎵(GaN)已開始加速導入至各應用市場當中，其普及率也在這3~5年之間逐漸提升。對此，GaN System台灣區總經理林志彥表示，伺服器電源、電動車(EV)，以及無線充電將是驅動GaN快速成長的三大關鍵市場。...
2018 年 07 月 23 日

專訪TI高壓電源解決方案系統及應用工程經理John Stevens　TI新款電源晶片具小體積高效率

因應電子產品(如筆記型電腦、平板)小體積大功率的設計趨勢，德州儀器(TI)宣布推出新款主動箝位返馳式(Active Clamp Flyback)電源管理晶片組--UCC28780+UCC24612；可協助設計人員提升個人電子裝置效率，並縮小電源供應和充電裝置解決方案的尺寸。
2018 年 04 月 28 日

老將新秀同台競技　電源轉換效率扶搖直上

在電子產業中，電力電子是一個進步相對緩慢，設計人員的心態也比較保守的次領域。畢竟，跟其他應用電路相比，電源是潛在危險性較高的應用，只有成熟、穩定的技術能獲得電源工程師的青睞。不過，在新技術日益成熟、應用需求轉變與法規要求日益嚴格的情況下，離線式電源供應器設計革新的速度，正變得越來越快。
2017 年 11 月 05 日

RF功率元件市場洗牌　GaN將成主流技術

如今，電子業正邁向4G的終點、5G的起點。後者發展上仍有不少進步空間，但可以確定，新一代無線電網路勢必需要更多元件、更高頻率做支撐，可望為晶片商帶龐大商機–特別是對RF功率半導體供應商而言。對此，市研機構Yole於7月發布「2017年RF功率市場與科技報告」指出，RF功率市場近期可望由衰轉盛，並以將近二位數的年複合成長率(GAGR)迅速成長；同時，氮化鎵(GaN)將逐漸取代橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)，成為市場主流技術。...
2017 年 07 月 27 日

ADI發表兩款寬頻6GHz模組

亞德諾半導體(ADI)近日宣布推出兩款高性能氮化鎵(GaN)功率放大器(PA)模組(HMC7885/HMC7748)，兩款模組皆擁有高功率密度，可大幅縮減子系統的尺寸和重量。 HMC7885和HMC7748寬頻模組，針對2GHz至6GHz頻率範圍的應用，包括量測、通訊、替代行波管(TWT)、航空監控、雷達等應用領域。這些完全整合型全固態元件擴展了ADI公司現有的GaN功率放大器系列，使用方便，可以加快原型開發和系統設計。...
2017 年 04 月 11 日
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