瑞薩電子發表40奈米嵌入式快閃記憶體IP

快閃記憶體設計技術之半導體解決方案供應商瑞薩電子(Renesas Electronics),已開發出40奈米(nm)記憶體智慧財產權(IP),首度使用此技術在汽車應用領域,並推出嵌入式快閃記憶體微控制器(MCU)。其將於2012年秋季開始供應樣品。 ...
2011 年 12 月 28 日

Automotive World 2012元月盛大登場

Automotive World 2012將於2012年1月18~20日在日本東京國際展覽中心舉行。主辦單位表示,全球汽車業正朝著更環保汽車的方向發展,透過該展會可了解「電動車(EV)和混合動力車(HEV)」、「輕型化」和「汽車電子」等三大關鍵領域的最新技術與未來趨勢。 ...
2011 年 12 月 15 日

強打低功耗特色 瑞薩電子MCU淘綠金

在全球瘋環保的浪潮席捲下,全球微控制器(MCU)出貨與營收市占第一的瑞薩電子(Renesas Electronics)微控制器產品除了朝向綠色系統發展外,並鎖定逆變器(Inverter)馬達控制、照明與電源管理三大微控制器應用領域,發布新的RX與RL78系列方案,以搭上環保的商機順風車。 ...
2011 年 12 月 14 日

瑞薩鋰離子電池充電控制IC支援USB

瑞薩電子(Renesas Electronics)發表充電控制IC–R2A20055NS,更進一步小型化,並為可攜式裝置的單鋰離子電池提供安全的充電控制,並支援通用訊列匯流排(USB)。 ...
2011 年 12 月 12 日

瑞薩電子新款MCU導入先進類比/節能技術

先進半導體解決方案供應商瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布推出新款RL78/G1A Group微控制器(MCU),強化產品陣容。RL78/G1A 16位元MCU整合先進的類比技術及RL78系列領導業界的節能技術,提供優異的處理效能。RL78/G1A...
2011 年 12 月 08 日

祭出相容策略 瑞薩迎戰ARM核心MCU大軍

瑞薩電子(Renesas Electronics)預計推出相容於安謀國際(ARM)架構的微控制器(MCU)開發套件,對抗Cortex-M系列核心的進逼,除可進一步提升該公司產品競爭力外,亦有助其鞏固目前微控制器市場龍頭地位。 ...
2011 年 11 月 10 日

搶當筆電接口一哥 高速傳輸介面互別苗頭

在Ultrabook追求極致輕薄設計的影響下,預留給傳輸介面的空間大幅縮小,一埠多用的需求已勢不可當,導致USB 3.0、DP、HDMI及Thunderbolt為搶攻這唯一的接口寶座,紛以各自優勢積極圈地。尤其明年起晶片組開始導入USB...
2011 年 11 月 01 日

瑞薩電子新款影像辨識SoC出籠

瑞薩電子(Renesas Electronics)及其子公司瑞薩通信技術(Renesas Mobile)宣布推出新款影像辨識系統單晶片(SoC)–SH7766。此解決方案將所有必要的功能整合至單晶片中,可建置以攝影機為基礎的周邊環境監視系統,並可顯示重要的資訊,例如車道、號誌與標示、行人、汽車等。 ...
2011 年 10 月 28 日

不畏USB 3.0晶片組搶市 瑞薩轉賣IP

面對第三代通用序列匯流排(USB 3.0)晶片組來襲,瑞薩電子(Renesas Electronics)已挾強大USB 3.0矽智財(IP)優勢,轉進IP銷售業務,以開闢新的獲利來源,如超微(AMD)預計於年底發布的USB...
2011 年 10 月 27 日

瑞薩電子車用MCU鎖定汽車控制系統應用

先進半導體解決方案供應商瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布推出三十二款全新RL78/F12 16位元微控制器(MCU),有助於降低系統耗電量並提供更高效能,適用於汽車控制系統,包括Keyless感應式遙控門鎖、電動窗控制、電動後視鏡控制及其他應用等。 ...
2011 年 10 月 04 日

瑞薩電子32位元MCU結合USB/SoC控制能力

先進半導體解決方案供應商瑞薩電子(Renesas Electronics)宣佈推出該公司六款全新32位元微控制器(MCU)SH726A及SH726B,其設計目的為降低產品的系統成本,例如車用與家用音響系統及工業設備,同時達到更小的安裝面積。SH726A及SH726B裝置為具備晶片內建大容量靜態隨機存取記憶體(SRAM)的SH7260系列MCU產品的新成員。 ...
2011 年 09 月 30 日

瑞薩電子推出新型SiGe:C異質接面電晶體

先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布推出新款碳異質接面電晶體(SiGe:C HBT)–NESG7030M04,可做為低雜訊放大電晶體用於無線區域網路系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的製程採用全新開發的矽鍺:碳SiGe:C材料並達到領先業界的低雜訊效能。 ...
2011 年 09 月 28 日