Littelfuse宣布投資碳化矽技術

Littelfuse積極布局工業和汽車用功率半導體元件市場,並於近期宣布對碳化矽技術研發領域的初創公司Monolith Semiconductor公司進行投資。碳化矽是一種發展迅速的新興半導體材料,與傳統矽相比,能使功率元件在較高的切換頻率和溫度下工作。這讓逆變器和其他能源轉換系統能夠實現更高的功率密度、能源效率並降低成本。 ...
2015 年 12 月 25 日

ST推出改良版串聯式二極體

意法半導體(ST)推出第二代串聯式二極體(Tandem Diode),讓設計人員以高成本效益提升設備效能,目標應用於電源、太陽能逆變器以及電動交通工具充電站。 與第一代產品相比,新款二極體產品降低反向恢復電荷(Reverse-recovery...
2013 年 09 月 11 日

PV逆變器應用增溫 SiC功率元件後勢看漲

碳化矽(SiC)功率元件正快速在太陽能(PV)逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統矽功率半導體,提供更高的電源轉換效率,更可減少所需的電容和感測器數量,已吸引愈來愈多太陽能逆變器製造商青睞。
2013 年 06 月 24 日

消耗多餘產能 LED業者跨足GaN功率元件製造

節能趨勢讓氮化鎵(GaN)功率元件日益受到市場關注,並吸引愈來愈多業者爭相投入。除既有的半導體業者外,LED製造商也已計畫將過剩的產能用於生產氮化鎵功率元件,以開闢新的獲利來源,將有助擴大氮化鎵功率元件市場滲透率。
2012 年 04 月 16 日

瑞薩電子碳化矽裝置較傳統矽功耗降低40%

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發採用碳化矽(SiC)之蕭特基阻障二極體(Schottky barrier diode, SBD)–RJS6005TDPP。碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力,新款SiC蕭特基阻障二極體適用於空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統;亦整合由日立(Hitachi)與瑞薩電子共同研發的技術,相較於瑞薩電子採用傳統矽(Si)材料的現有功率裝置,可降低約40%的低功耗表現。 ...
2012 年 02 月 16 日

下世代功率半導體競技賽開打 GaN/SiC爭搶主流寶座

基於GaN與SiC材料的新世代功率半導體技術之間的戰火,近期再度升溫,尤其在首款SiC功率半導體商品成功問世後,更讓SiC技術聲勢大漲;面對SiC技術急起直追,已推出低電壓功率產品的GaN陣營亦不甘示弱,正積極朝向更高電壓市場邁進。
2011 年 05 月 30 日

商用進展邁大步 SiC功率半導體前景看俏

繼科銳(Cree)於今年1月中發表業界首款商用碳化矽(SiC)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(Power MOSFET)後,快捷(Fairchild)日前也宣布收購TranSiC,正式跨入碳化矽功率半導體領域;此外,包爾英特(...
2011 年 04 月 26 日