電晶體/記憶體雙模式二維電子元件開啟新方向

隨著科技飛速的發展,半導體技術正面臨前所未有的挑戰。在國科會「Å世代前瞻半導體專案計畫」及學門計畫的支持下,由國立清華大學電子所蔡孟宇博士、研發長邱博文教授、國立中興大學物理系林彥甫教授和資工系吳俊霖教授等共同組成的研究團隊,成功開發出新穎的雙模式二維電子元件,不僅突破了傳統矽晶圓的物理限制,還為高效能運算和半導體製程簡化開啟了新的方向。這項研究成果已在2023年9月發表於國際知名學術期刊《自然電子》(Nature...
2024 年 01 月 17 日

意法1,350V新系列IGBT電晶體提升耐受性/效能

意法半導體(ST)新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1,350V,最高作業溫度達175°C,更高的額定值確保電晶體在所有運作條件下具有更大的設計餘量、耐受性能和更長久的可靠性。 新推出之STPOWER...
2023 年 11 月 21 日

意法半導體量產PowerGaN元件

意法半導體(ST)宣布量產能夠簡化高效功率轉換系統設計之增強型PowerGaN HEMT(高電子遷移率電晶體)元件。STPOWER GaN電晶體提升了牆插電源轉接器、充電器、照明系統、工業電源、再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。...
2023 年 09 月 26 日

ST推出100V工業級STripFET F8電晶體

意法半導體(ST)之新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET擁有極低的閘極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),質量因數(Figure of Merit, FoM)相較上一代同類產品提升40%。...
2023 年 06 月 15 日

啟動高電壓/高電流功率半導體 脈衝式電源效能步步高

本文說明了絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)、閘極關閉晶體閘流管(GTO)以及晶體閘流管等高功率半導體在脈衝式電源應用中的應用。為了達到所要求的功率水準,像是高功率半導體的堆疊,就需要能啟動高電壓、高電流的條件(圖1)。...
2022 年 07 月 28 日

意法新MOSFET提升功率效能/開關性能

意法半導體(ST)新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體適用於設計資料中心服務器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器(SMPS)。 650V...
2022 年 06 月 09 日

羅姆馬來西亞建新廠 為增強類比LSI/電晶體產能

羅姆(ROHM)和ROHM Wako Co., Ltd.定在馬來西亞的子公司ROHM-Wako Electronics Sdn. Bhd.(RWEM)投建新廠房,以增強市場需求日益成長的類比LSI和電晶體產能。...
2021 年 12 月 22 日

HOLTEK新推近接感應 2-Key觸控MCU

Holtek近接感應產品系列新增BS45F3332/BS45F3335/BS45F3336/BS45F3337成員,針對IR近接感應應用整合了主動式IR發射、接收電路與觸控按鍵等功能。產品具備高整合度特性,可大量減少外部元件(如OPA、D/A轉換器、電晶體、電阻及電容),降低生產成本及PCB板尺寸,能滿足多數近接感應產品,非常適合中/短距離偵測應用,如自動給皂機、感應酒精噴霧機、感應垃圾桶等。...
2021 年 11 月 04 日

EPC更新GaN功率電晶體/積體電路系列Podcast

宜普電源轉換公司(EPC)更新其「如何使用氮化鎵元件」的影片Podcast系列。該影片系列的內容是依據最新出版的《氮化鎵電晶體–高效功率轉換元件》第三版教科書的內容製作。合計共14個教程的影片Podcast系列旨在為功率系統設計工程師提供基礎技術知識及針對專有應用的工具套件,進而讓工程師學習如何採用氮化鎵電晶體及積體電路,設計出更高效的功率轉換系統。...
2020 年 04 月 27 日

Power Integrations擴大採用750V GaN電晶體IC產品範圍

Power Integrations日前宣布推出更多InnoSwitch3系列離線CV/CC返馳式切換開關IC品項。全新INN3x78C裝置整合體積更小的「8號」750V PowiGaN電晶體,能夠讓輕薄且高效的電源供應器輸出27W至55W功率而毋需散熱片。此IC所用的封裝技術,與採用GaN的InnoSwitch3系列中體積較大品項(最高目標功率為120W)同為高沿面距離、符合安全要求的InSOP-24D封裝。...
2020 年 03 月 24 日

ROHM穿戴式電子用電晶體嵌入面積縮小50%

ROHM推出小尺寸電晶體VML0604,尺寸僅0.6毫米(mm)×0.4毫米,高度0.36毫米,適合智慧型手機與穿戴式裝置等要求小型、薄型的電子機器。 藉由新封裝與元件的新製程化,ROHM成功開發出小型電晶體VML0604;在封裝方面,透過内部構造的最佳化,及導入高精度封裝加工技術,相較之前最小電晶體封裝的VML0806(0.8毫米×0.6毫米,高度0.36毫米),嵌入面積更縮減50%。 ...
2014 年 04 月 28 日

英飛凌700W L頻段電晶體適合雷達系統

英飛凌(Infineon)推出700瓦(W) L頻段的射頻(RF)功率電晶體PTVA127002EV,適用於操作頻率範圍1200~1400MHz間的雷達系統。新裝置減少零件數量,可降低系統成本,維持高耐用性,同時增進可靠性。 ...
2014 年 04 月 16 日