Power Integrations擴大採用750V GaN電晶體IC產品範圍

Power Integrations日前宣布推出更多InnoSwitch3系列離線CV/CC返馳式切換開關IC品項。全新INN3x78C裝置整合體積更小的「8號」750V PowiGaN電晶體，能夠讓輕薄且高效的電源供應器輸出27W至55W功率而毋需散熱片。此IC所用的封裝技術，與採用GaN的InnoSwitch3系列中體積較大品項(最高目標功率為120W)同為高沿面距離、符合安全要求的InSOP-24D封裝。...
2020 年 03 月 24 日

儒卓力推威世高功率密度N-Channel MOSFET

儒卓力(Rutronik)日前宣布供應威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET，其設計初衷是提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率，它們採用3.3×3.3mm緊湊型PowerPAK...
2020 年 02 月 25 日

快捷SuperFET II具備最低導通抗阻與輸出電容

快捷(Fairchild)針對600/650伏特(V)以上的崩潰電壓推出具800伏特的新產品系列–SuperFET II金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)。該元件具備廣泛封裝選項及最低導通電阻(RDS(ON))與輸出電容(Coss)，協助設計人員改善效率、成本效益與可靠度，減少元件數量、精簡機板空間。 ...
2015 年 03 月 16 日
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