應材拓展埃米時代晶片製造圖案化解決方案

應用材料公司於國際光電工程學會(SPIE)先進微影暨圖案化技術研討會上推出一系列為滿足「埃米時代」晶片圖案化需求的產品和解決方案。隨著製程推進至2奈米以下,晶片製造商愈來愈受惠於新材料工程和量測技術,進而克服EUV和高數值孔徑EUV圖案化的挑戰,包括線邊緣粗糙度、頂端對頂端的間隙(Tip-to-tip...
2024 年 03 月 01 日

imec/三井化學推動EUV奈米碳管光罩護膜商用

比利時微電子研究中心(imec)攜手三井化學共同宣布,為了推動針對極紫外光(EUV)微影應用的奈米碳管(CNT)光刻薄膜技術商業化,雙方正式建立策略夥伴關係。 此次合作,三井化學將把imec根據奈米碳管所研發的創新光罩護膜技術,整合至三井化學的光刻薄膜技術,目標是實現能夠全面投產的規格,預計將在2025~2026年導入高功率的極紫外光(EUV)系統。此次簽約於2023...
2023 年 12 月 25 日

imec/ASML攜手推動高數值孔徑EUV技術發展

比利時微電子研究中心(imec)及艾司摩爾(ASML)近日宣布,雙方計畫在開發最先進高數值孔徑(high-NA)極紫外光(EUV)微影試驗製程的下一階段強化彼此之間的合作。 比利時微電子與ASML簽署合作備忘錄,雙方將共同推動高數值孔徑EUV技術發展...
2023 年 06 月 29 日

FRACTILIA全新堆疊量測方案提升EUV製程良率

Fractilia宣布推出Fractilia堆疊量測方案(Fractilia Overlay Package),能夠為Fractilia的MetroLER與FAME增加全新堆疊量測與分析功能。Fractilia產品結合獨家專利的反向線掃瞄模型技術(FILM)與真正的計算量測,是唯一經過驗證的晶圓製造廠解決方案,可以對所有主要隨機效應提供高精準度的量測,而這也是先進製程上最大且單一的微影圖形(Patterning)錯誤來源。Fractilia目前正與多家晶片製造商合作,使用全新的Fractilia堆疊量測方案為掃描式電子顯微鏡(SEM)的疊對影像數據進行分析。...
2023 年 06 月 27 日

摩爾定律續命丹 ASD/DSA解電路圖形化瓶頸

半導體製程持續挺進個位數字奈米節點,為達成摩爾定律的微縮進度,儘管微影技術不斷有所突破,無論是透過各種手段將浸潤式微影解析度推至極限,採用波長更短、技術也日益成熟的極紫外光(EUV)光源微影以實現更高解析度,或是利用分次曝光提升線路密度的多重圖形(Multiple...
2023 年 03 月 30 日

讓半導體製程更加環境友善 imec發表量化評估方案

日前由國際光學工程學會(SPIE)舉辦的2023年先進微影成形技術會議(2023 Advanced Lithography and Patterning Conference)上,比利時微電子研究中心(imec)展示了一套先進IC圖形化製程的環境影響量化評估方案,並在imec.netzero模擬平台上開發了一座虛擬晶圓廠。利用該平台的分析結果,imec與其夥伴就能評估現有的製程方案,識別開發的重點領域,並推算未來數據。imec在其實體晶圓廠探索各式高影響力(high...
2023 年 03 月 17 日

愛德萬發表最新缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡

愛德萬測試(Advantest Corporation)發表E5620缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(Defect Review Scanning Electron Microscope, DR-SEM),E5620...
2022 年 12 月 14 日

DRAM製程進入1β世代 美光再度搶下頭香

美光(Micron)於2日宣布,該公司已開始為特定智慧型手機製造商與晶片組合作夥伴提供使用1β(1-beta)製程節點生產的LPDDR5X DRAM驗證樣品,同時該製程節點的量產作業已全面準備就緒,預期2023年上市的智慧型手機就將搭載這類DRAM。基於美光1β製程的LPDDR5X最高速度可達每秒8.5Gb等級,同時位元密度與功耗也有顯著改進。除行動裝置外,1β帶來的低延遲、低功耗、高性能DRAM,更可支援各種高度回應式服務、即時服務、體驗的個人化與脈絡化,從智慧車輛到資料中心均可受惠。...
2022 年 11 月 03 日

EUV微影面臨六大挑戰 材料工程/計量技術解難題

半個多世紀以來,傳統摩爾定律2D縮放定義了半導體產業的技術路線圖。在2000年左右的Dennard縮放時代,半導體業界每兩年可以將電晶體尺寸縮小50%。 圖1 從1970年代至今,電晶體微縮的方法已走過三個階段...
2022 年 09 月 01 日

材料/EDA全面動員 先進製程繼續向前走

由於美中科技戰越演越烈,美國政府對半導體曝光設備出口到中國,訂下越來越嚴密的規範,導致在中文科技媒體圈裡面,對曝光設備,尤其是專門用來實現7奈米以下製程的極紫外光(EUV)曝光機的討論,已到了汗牛充棟的地步。有許多觀點甚至將中國半導體製造業發展先進製程時所遭遇到的問題,都歸咎在美國政府對中國的禁運上。但半導體製造技術的發展,除了曝光、沉積、蝕刻這些關鍵步驟所使用的機台外,環繞在這些設備周邊的材料,也會對設備本身的性能、生產良率的高低,產生巨大影響。...
2022 年 09 月 01 日

三星24Gbps GDDR6 DRAM亮相 顯卡效能躍升可期

三星(Samsung)宣布推出GDDR6 DRAM,其處理速度可達24 Gbps。此款記憶體採用三星第三代10nm(1z)製程,以及極紫外光(EUV)技術,有助於提升下一代顯卡、筆電/遊戲主機、人工智慧(AI)應用,以及高速運算(HPC)系統的效能。隨著客戶在2022年7月開始驗證產品,三星預計配合GPU平台推出,將24Gbps...
2022 年 07 月 18 日

英特爾公布Intel 4製程細節 效能/密度大幅升級

英特爾日前於美國檀香山舉行的VLSI國際研討會中,公布了Intel 4製程的技術細節。相較於Intel 7,Intel 4於相同功耗提升20%以上的效能,高效能元件庫(library cell)的密度則是2倍,同時達成兩項關鍵目標:它滿足開發中產品的需求,包括PC客戶端的Meteor...
2022 年 07 月 07 日