ROHM推出EcoGaN Power Stage IC

羅姆(ROHM)針對伺服器等工控設備，和AC適配器等消費性電子設備的一次側電源，推出集結了650V GaN HEMT和閘極驅動器等技術的Power Stage IC「BM3G0xxMUV-LB」(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。...
2023 年 08 月 31 日

羅姆提升150V GaN HEMT閘極耐壓　助降低基地台/資料中心電源功耗

半導體製造商羅姆(ROHM)針對工控裝置和通訊裝置等電源電路，將150V GaN HEMT(以下稱為GaN元件)的閘極耐壓(閘極-源極額定電壓)提升至8V。 近年來在伺服器系統等設備中，由於IoT裝置的需求日益增長，功率轉換效率的提升和裝置小型化已經成為重要的課題之一。...
2021 年 04 月 21 日

功率密度優勢顯著　GaN HEMT挺進大功率市場

GaN材料具有許多矽所沒有的優勢，且成本結構相當具競爭力。隨著技術日益成熟，安全性與可靠度的疑慮逐漸緩解，許多大功率應用也已經開始嘗試導入。
2020 年 07 月 02 日

採用直接驅動設計　GaN FET開關控制效率增

高壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子移動率電晶體(HEMTs)的開關性能支持新的拓撲結構，能夠提升開關電源效率和密度。GaN的終端電容(Ciss/Coss/Crss)較低，且無第三象限反向恢復(Reverse...
2019 年 12 月 12 日

Si/SiC/GaN各擅勝場　功率開關元件選用要仔細

電源轉換器所使用的功率開關元件一直以來都採用矽(Si)半導體材料為主，但是隨著越來越多苛刻的應用與需求，矽半導體材料發展也趨近於材料本身的極限，使得矽功率開關元件已經無法完全符合需求。為了符合電源轉換器設計的需求，近年來寬能隙材料諸如碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)應運而生並且已被成功地商品化，本文探討電源轉換器設計者應該是沿用矽功率開關元件，還是轉而選用寬能隙功率開關元件，先由矽和寬能隙材料的特性進行比較，再進入討論CoolMOS，CoolSiC和CoolGaN的應用和定位，提供設計人員參考來選擇合適的功率開關元件。
2019 年 12 月 09 日

劍指GaN市場　英飛凌CoolGaN新品來勢洶洶

氮化鎵(GaN)近年於電源應用領域大行其道，商機也因而快速成長。而為穩固電源晶片市占龍頭寶座，並搶攻GaN市場版圖，電源晶片供應商英飛凌(Infineon)也趁勢推出新一代GaN解決方案「CoolGaN...
2018 年 12 月 06 日
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