強化GaN HEMT絕緣性　氮化鎵RF性能更優異

無線網路的頻寬需求持續成長，導致射頻(RF)頻段的壅塞問題更加嚴重。電信產業正在積極尋找新興技術，以滿足未來行動通訊應用的需求，例如改用更高頻段進行通訊，就可以有更多可用的頻寬資源。 為達到100GHz以上的傳輸頻率，研究人員針對新興的三五族材料展開測試，例如磷化銦(InP)。而在毫米波的低頻段，亦即50GHz以下的無線電頻譜，業界預期氮化鎵(GaN)技術將是發展關鍵，故基於氮化鎵的射頻元件，不僅可應用於新一代5G...
2022 年 05 月 02 日

Plessey開發原生綠色MicroLED　無須色彩轉換更明亮

為解決一般原生藍色微發光二極體(Micro Light Emitting Diode, MicroLED)進行顏色轉換時所產生的顏色損失問題，Plessey開發出原生綠色MicroLED，使用其專有的2D...
2019 年 04 月 08 日

大尺寸晶圓量產卡關　GaN-on-Si基板發展陷膠著

矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板技術發展添變數。囿於大尺寸GaN-on-Si晶圓製造良率遲遲無法提升，不少LED磊晶廠已開始考慮降低投資金額，或轉而投入技術門檻較低的功率元件應用市場，讓原本備受期待的GaN-on-Si...
2013 年 06 月 20 日

GaN-on-Si陷膠著　GaN-on-GaN LED趁勢崛起

氮化鎵對氮化鎵基板(GaN-on-GaN)發光二極體(LED)聲勢看漲。GaN-on-GaN LED毋須克服讓矽基氮化鎵(GaN-on-Si)LED研發人員頭痛的晶格、熱膨脹係數等問題，加上GaN基板技術迭有突破，價格下滑可期，因而逐漸成為備受矚目的LED基板替代方案。 ...
2013 年 05 月 08 日

技術再突破　台積固態照明2H量產無封裝LED

台積電子公司台積固態照明下半年將投產無封裝發光二極體(LED)。繼2012年率先全球量產矽基氮化鎵(GaN-on-Si)LED後，台積固態照明LED技術再有重大突破，將於今年下半年量產毋須封裝的LED光源，藉此省卻LED光源封裝製程環節的成本，相較於傳統LED光源，價格將更具競爭力。 ...
2013 年 03 月 22 日

兼具低成本、散熱佳優勢　矽基氮化鎵革新LED基板

矽基氮化鎵(GaN-on-Si)可望成為LED產業新寵兒。由於藍寶石基板面臨技術瓶頸，LED業者正積極尋找新的基板材料；矽基氮化鎵可減少熱膨脹差異係數，不僅能強化 LED發光強度，更可大幅降低製造成本、提高散熱表現，遂成為業界爭相布局的新技術。
2012 年 11 月 05 日

突破技術瓶頸　AZZURRO量產8吋矽基板LED

AZZURRO Semiconductors將正式投產8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)發光二極體(LED)。繼2011年量產6吋晶圓後，AZZURRO Semiconductors日前再度公開宣示，將於2013年第二季導入8吋矽基氮化鎵LED晶圓生產，以迎合未來客戶需求。 ...
2012 年 09 月 19 日

瞄準PV/EV　晶片商布局寬能隙功率半導體

看準太陽能、電動車(EV)等高利潤利基型應用後勢潛力無窮，英飛凌(Infineon)、意法半導體(ST)、國際整流器(IR)、快捷(Fairchild)等半導體大廠已緊鑼密鼓地砸下重金展開藉由碳化矽(SiC)、矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)寬能隙化合物半導體開發功率元件計畫，將使寬能隙功率半導體市場卡位戰提前開打。 ...
2011 年 07 月 27 日

下世代功率半導體競技賽開打　GaN/SiC爭搶主流寶座

基於GaN與SiC材料的新世代功率半導體技術之間的戰火，近期再度升溫，尤其在首款SiC功率半導體商品成功問世後，更讓SiC技術聲勢大漲；面對SiC技術急起直追，已推出低電壓功率產品的GaN陣營亦不甘示弱，正積極朝向更高電壓市場邁進。
2011 年 05 月 30 日

商用進展邁大步　SiC功率半導體前景看俏

繼科銳(Cree)於今年1月中發表業界首款商用碳化矽(SiC)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(Power MOSFET)後，快捷(Fairchild)日前也宣布收購TranSiC，正式跨入碳化矽功率半導體領域；此外，包爾英特(...
2011 年 04 月 26 日

再生能源夯　高頻寬功率半導體行情看俏

再生能源當紅，吸引電源晶片業者趨之若鶩。日前，在英飛凌(Infineon)領軍及德國聯邦教育與研究部(BMBF)資助下，正展開高頻寬(Wideband Gap)功率半導體元件的研發，目標為在不顯著增加系統成本之下，減低電力於進入供電網絡的損耗；快捷(Fairchild)對於高頻寬功率半導體解決方案的開發，則從材料著手，欲長期投資。 ...
2011 年 01 月 31 日
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