英飛凌發布2025年GaN功率半導體預測報告

在全球持續面臨氣候變遷和環境永續發展挑戰之際，英飛凌科技一直站在創新前沿，利用包括矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)在內的所有相關半導體材料大幅推動低碳化和數位化領域的發展。 英飛凌在「2025年GaN功率半導體預測報告」中強調，GaN將成為改變遊戲規則的半導體材料，它將大幅改變大眾在消費、交通出行、住宅太陽能、電信和AI資料中心等領域提高能效和推進低碳化的方式。GaN可為終端客戶的應用帶來顯著優勢，包括提高能效表現、縮小尺寸、減輕重量和降低總體成本。如今USB-C充電器和適配器已經是GaN應用的領跑者，有更多產業即將達到GaN的應用關鍵轉折點，這將大幅推動GaN功率半導體市場的發展。...
2025 年 03 月 06 日

TI無輔助GaN返馳式轉換器克服AC/DC變壓器設計挑戰

對更小、更有效率電源供應器的需求與日俱增，推動了氮化鎵(GaN)型功率級的快速普及。在AC/DC變壓器市場中，製造商正快速運用GaN返馳式轉換器，以功能日益強大但體積更小的變壓器，來協助擴大USB Type-C連接成長。...
2025 年 01 月 24 日

高密度電源需求大增　Si/SiC/GaN元件特性各有千秋

在資訊技術與科技快速進步的現代社會中，人們對電源系統的效率與體積的要求不斷提高。以行動智慧裝置為例，2000年初期的電源供應模組功率密度約為每安培1立方公分。而到了2025年，已接近每安培數立方毫米。在短短20年間，功率密度提升了兩到三個數量級，其進步速度可謂驚人。...
2025 年 01 月 23 日

CGD/Qorvo將共同革新電機控制解決方案

英商劍橋氮化鎵元件(Cambridge GaN Devices, CGD)是一家專注於研發高效能氮化鎵(GaN)功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日，該公司與連接和電源解決方案提供商Qorvo合作推出PAC5556A+ICeGaN評估套件(EVK)，融合了電機控制和能效技術。此次合作將Qorvo的高效能BLDC/PMSM電機控制器/驅動器與CGD易於使用的ICeGaN...
2024 年 12 月 09 日

貿澤電子/ADI/Bourns共同出版全新電子書

貿澤電子(Mouser Electronics)近日宣布與Analog Devices(ADI)和Bourns合作出版最新的電子書，探索氮化鎵(GaN)技術在追求效率、效能和永續性的過程中所面對的挑戰和擁有的優勢。...
2024 年 12 月 06 日

Power Integrations推出1700V GaN切換開關IC

Power Integrations宣布推出其InnoMux-2系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器IC的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有PowiGaN技術製造的1700V氮化鎵切換開關。...
2024 年 11 月 08 日

日本會津廠新產線投產　德州儀器GaN產能大增4倍

德州儀器(TI)宣布，已開始在日本會津廠生產氮化鎵(GaN)功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造產能，該公司GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多。 德州儀器在日本會津廠的氮化鎵(GaN)產能正式上線，讓該公司的GaN產能可望擴增4倍...
2024 年 10 月 25 日

英飛凌/AWL-Electricity以GaN功率半導體優化無線供電方案

英飛凌(Infineon)近日宣布與總部位於加拿大的AWL-Electricity合作，後者是MHz級電容耦合諧振式電力傳輸技術的領導者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN GS61008P，協助該公司開發先進的無線供電解決方案，為眾多產業開闢解決供電難題的新途徑。...
2024 年 10 月 24 日

英飛凌推出全新CoolGaN Drive產品系列

消費電子和工業應用領域正呈現出便攜化、電氣化、輕量化等多樣化的發展趨勢。而這些趨勢都需要緊湊高效的設計，同時還需採用非常規PCB設計，此類設計面臨嚴格的空間限制，進而限制了外部元件的使用。為應對這些挑戰，英飛凌(Infineon)推出CoolGaN...
2024 年 09 月 24 日

英飛凌率先開發12吋GaN功率半導體製程技術

英飛凌(Infineon)宣布，已成功開發出全球首創12吋氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業。這項突破將極大地推動GaN功率半導體市場的發展。相較於8吋晶圓，12吋晶圓因晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的晶片數量增加了2.3倍，效率顯著提高。...
2024 年 09 月 16 日

EDS分析應考量輕元素吸收效應　碳/氮/氧低能量X光易被吸收(1)

在進行TEM/EDS成分分析時，特別是涉及碳、氮、氧等輕元素時，低能量X光被吸收的效應仍然相當明顯，而且被吸收的量會隨著試片厚度的變化而改變。必須藉由某些特殊的校正技術，才能重新拉回準確度。 隨著半導體技術的不斷演進，奈米區域成分分析在新製程開發中的重要性日益突顯。透過透射電子顯微鏡/能量分散光譜(TEM/EDS)技術，研究人員能夠深入鑑定奈米區域的成分資訊。然而，在進行TEM/EDS成分分析時，特別是涉及碳、氮、氧等輕元素時，低能量X光被吸收的效應仍然相當明顯，而且被吸收的量會隨著試片厚度的變化而改變。...
2024 年 09 月 13 日

EDS分析應考量輕元素吸收效應　碳/氮/氧低能量X光易被吸收(2)

在進行TEM/EDS成分分析時，特別是涉及碳、氮、氧等輕元素時，低能量X光被吸收的效應仍然相當明顯，而且被吸收的量會隨著試片厚度的變化而改變。必須藉由某些特殊的校正技術，才能重新拉回準確度。 X光吸收...
2024 年 09 月 13 日
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