英飛凌/群光電能打造氮化鎵PD3.1電源供應器

英飛凌科技(Infineon)透過運用氮化鎵(GaN)半導體,賦予電源轉換器更高的效能、更精簡的體積以及更低的能耗。群光電能(Chicony Power)透過與英飛凌的合作夥伴關係,提高其最新PD3.1筆記型電腦電源供應器系列的效能。雙方透過加強合作,共同為終端客戶提供具備更小尺寸、更高功率密度的高效率氮化鎵電源解決方案。...
2023 年 08 月 18 日

CGD/SCI簽訂亞太地區分銷協議

Cambridge GaN Devices(CGD)專門開發多種節能氮化鎵(GaN)型功率裝置,旨在實現更環保的電子元件,與新加坡Supreme Components International Pte...
2023 年 08 月 10 日

SiC高電壓應用穩健無虞

近期碳化矽(SiC)及其在電力電子領域的潛在應用受到了廣泛關注, 但同時也引發了一些誤解。圍繞SiC產生的一些疑慮與其應用範圍相關, 例如一些設計人員認為SiC MOSFET應該用來替代IGBT,而矽MOSFET的替代品應該是氮化鎵(GaN)元件。然而,額定電壓為650V的SiC...
2023 年 07 月 13 日

超寬能隙材料熱導性能更驚豔(1)

大電源及高速傳輸的供應需求,諸如太陽能、風電、電動交通工具,或家用裝置、物聯網、資料中心等,在原本主流的半導體材料矽(Si)無法勝任此一變化下,新世代的寬能隙材料應運而生。 在現代人的生活極度依賴行動或穿戴裝置,存於其中的半導體材料無所不在。從早上的鬧鐘,到盥洗用的電動牙刷、上網訂早餐、用手機收看新聞,再到交通工具、工作用電腦、回家做飯的電鍋、微波爐等,半導體無所不在。近年來,隨著環保節能意識抬頭,為了實現淨零碳排放,必須將製造大量空污的油、氣發電,轉向更潔淨的綠電能源,未來的生活工具勢必共同邁向此目標。...
2023 年 07 月 03 日

超寬能隙材料熱導性能更驚豔(2)

大電源及高速傳輸的供應需求,諸如太陽能、風電、電動交通工具,或家用裝置、物聯網、資料中心等,在原本主流的半導體材料矽(Si)無法勝任此一變化下,新世代的寬能隙材料應運而生。 XRD鑑定晶體堆疊對能隙的影響...
2023 年 07 月 03 日

應用障礙逐步掃除 WBG元件普及大步向前(2)

寬能隙元件能為電源、逆變器等功率應用帶來極大的效益,但在設計導入方面也有相當的門檻存在。因此,如何降低設計導入的門檻,成為供應商必須面對的課題。 GaN驅動難題有解 台達實現百瓦功率密度 同樣屬於寬能隙半導體的氮化鎵功率元件,也跟碳化矽元件一樣,能協助電源開發者實現更高的電源密度。然而,氮化鎵元件的驅動與控制方式與矽元件大相逕庭,因此在高功率應用的設計開發上,有比較多技術議題需要克服。...
2023 年 07 月 03 日

Tektronix新版雙脈衝測試方案加快SiC/GaN驗證

Tektronix宣布推出新版雙脈衝測試解決方案(WBG-DPT解決方案)。各種新型的寬能隙切換裝置正不斷推動電動車、太陽能和工業控制等領域快速發展,Tektronix WBG-DPT解決方案能夠對SiC和GaN...
2023 年 06 月 12 日

Transphorm發布1200伏GaN-on-Sapphire元件模擬模型

Transphorm宣布推出其1200伏功率管模擬模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體。這款產品的發布展現Transphorm有能力支援未來的汽車電力系統,以及已普遍用於工業、資料通訊和可再生能源市場的三相電力系統。與替代技術相比,這些應用可受益於1200伏氮化鎵元件更高的功率密度及更優異的可靠性、同等或更優越的性能,以及更為合理的成本。Transphorm近期已驗證了氮化鎵元件在100kHz開關頻率的5kW...
2023 年 06 月 01 日

ROHM開始量產650V耐壓GaN HEMT

羅姆(ROHM)已開始650V耐壓氮化鎵(GaN)HEMT「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產,該二款產品非常適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。 據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半,為實現無碳社會,如何提高它們的效率已成為全球性的課題。而功率元件則是提高電源效率的關鍵,碳化矽(SiC)和GaN等新世代半導體材料在進一步提升電源效率方面被寄予厚望。2022年ROHM將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN...
2023 年 05 月 22 日

ST雙管齊下布局SiC/GaN製造

半導體製造在全球的產業發展中不僅有重要的戰略意義,也是各項新興技術的推手。近年來,半導體供應鏈面對疫情、經濟局勢變化與地緣政治事件的衝擊,積極朝向提高供應鏈韌性的目標前進。半導體供應商如意法半導體(ST),便積極透過製造基地布局、技術整合與建立永續生產模式等作法,期望強化企業的發展性。...
2023 年 05 月 18 日

CGD新推第二代ICeGaN HEMT產品

Cambridge GaN Devices(CGD)是一家無晶圓廠無塵技術半導體公司,開發一系列節能的GaN型功率裝置,目標是實現更環保的電子裝置;CGD近日宣布推出第二代的ICeGaN 650V氮化鎵HEMT系列產品,提供耐用性、易於使用及最高效率等特色。...
2023 年 05 月 16 日

Tesla減少用量引發議論 碳化矽前景依然可期(1)

Tesla近日宣布將減少碳化矽元件用量,減少幅度最高可達75%,引發市場對碳化矽功率元件前景的疑慮。但考量到目前並無其他可以完全取代碳化矽的技術,再加上工業、再生能源等應用對碳化矽功率元件的需求依然十分強勁,碳化矽未來的發展潛力依然十分巨大。...
2023 年 05 月 15 日