意法半導體量產PowerGaN元件

意法半導體(ST)宣布量產能夠簡化高效功率轉換系統設計之增強型PowerGaN HEMT(高電子遷移率電晶體)元件。STPOWER GaN電晶體提升了牆插電源轉接器、充電器、照明系統、工業電源、再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。...
2023 年 09 月 26 日

德州儀器確保GaN產品可靠性

氮化鎵(GaN)場效應電晶體 (FET)正在迅速獲得採用,因為這能夠提高效率並縮小電源供應器尺寸。GaN產業已經建立一套方法來保證 GaN 產品的可靠性,德州儀器(TI)GaN裝置在元件級和實際應用中均極為可靠。這些裝置已經通過矽認證標準和GaN產業準則。尤其是,TI...
2023 年 09 月 23 日

TI改善熱效率幫助資料中心永續運作

隨著伺服器電源需求增加,創新的半導體設計和封裝技術正在改善資料中心的效率。德州儀器(TI)率先生產創新的半導體電源產品,藉以滿足目前和未來幾代先進資料中心對於性能、效率和熱管理的高度需求。由此產生的電源有助於保持最大型資料中心以更持續的能源穩定運作。...
2023 年 08 月 23 日

英飛凌/群光電能打造氮化鎵PD3.1電源供應器

英飛凌科技(Infineon)透過運用氮化鎵(GaN)半導體,賦予電源轉換器更高的效能、更精簡的體積以及更低的能耗。群光電能(Chicony Power)透過與英飛凌的合作夥伴關係,提高其最新PD3.1筆記型電腦電源供應器系列的效能。雙方透過加強合作,共同為終端客戶提供具備更小尺寸、更高功率密度的高效率氮化鎵電源解決方案。...
2023 年 08 月 18 日

CGD/SCI簽訂亞太地區分銷協議

Cambridge GaN Devices(CGD)專門開發多種節能氮化鎵(GaN)型功率裝置,旨在實現更環保的電子元件,與新加坡Supreme Components International Pte...
2023 年 08 月 10 日

SiC高電壓應用穩健無虞

近期碳化矽(SiC)及其在電力電子領域的潛在應用受到了廣泛關注, 但同時也引發了一些誤解。圍繞SiC產生的一些疑慮與其應用範圍相關, 例如一些設計人員認為SiC MOSFET應該用來替代IGBT,而矽MOSFET的替代品應該是氮化鎵(GaN)元件。然而,額定電壓為650V的SiC...
2023 年 07 月 13 日

超寬能隙材料熱導性能更驚豔(1)

大電源及高速傳輸的供應需求,諸如太陽能、風電、電動交通工具,或家用裝置、物聯網、資料中心等,在原本主流的半導體材料矽(Si)無法勝任此一變化下,新世代的寬能隙材料應運而生。 在現代人的生活極度依賴行動或穿戴裝置,存於其中的半導體材料無所不在。從早上的鬧鐘,到盥洗用的電動牙刷、上網訂早餐、用手機收看新聞,再到交通工具、工作用電腦、回家做飯的電鍋、微波爐等,半導體無所不在。近年來,隨著環保節能意識抬頭,為了實現淨零碳排放,必須將製造大量空污的油、氣發電,轉向更潔淨的綠電能源,未來的生活工具勢必共同邁向此目標。...
2023 年 07 月 03 日

超寬能隙材料熱導性能更驚豔(2)

大電源及高速傳輸的供應需求,諸如太陽能、風電、電動交通工具,或家用裝置、物聯網、資料中心等,在原本主流的半導體材料矽(Si)無法勝任此一變化下,新世代的寬能隙材料應運而生。 XRD鑑定晶體堆疊對能隙的影響...
2023 年 07 月 03 日

應用障礙逐步掃除 WBG元件普及大步向前(2)

寬能隙元件能為電源、逆變器等功率應用帶來極大的效益,但在設計導入方面也有相當的門檻存在。因此,如何降低設計導入的門檻,成為供應商必須面對的課題。 GaN驅動難題有解 台達實現百瓦功率密度 同樣屬於寬能隙半導體的氮化鎵功率元件,也跟碳化矽元件一樣,能協助電源開發者實現更高的電源密度。然而,氮化鎵元件的驅動與控制方式與矽元件大相逕庭,因此在高功率應用的設計開發上,有比較多技術議題需要克服。...
2023 年 07 月 03 日

Tektronix新版雙脈衝測試方案加快SiC/GaN驗證

Tektronix宣布推出新版雙脈衝測試解決方案(WBG-DPT解決方案)。各種新型的寬能隙切換裝置正不斷推動電動車、太陽能和工業控制等領域快速發展,Tektronix WBG-DPT解決方案能夠對SiC和GaN...
2023 年 06 月 12 日

Transphorm發布1200伏GaN-on-Sapphire元件模擬模型

Transphorm宣布推出其1200伏功率管模擬模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體。這款產品的發布展現Transphorm有能力支援未來的汽車電力系統,以及已普遍用於工業、資料通訊和可再生能源市場的三相電力系統。與替代技術相比,這些應用可受益於1200伏氮化鎵元件更高的功率密度及更優異的可靠性、同等或更優越的性能,以及更為合理的成本。Transphorm近期已驗證了氮化鎵元件在100kHz開關頻率的5kW...
2023 年 06 月 01 日

ROHM開始量產650V耐壓GaN HEMT

羅姆(ROHM)已開始650V耐壓氮化鎵(GaN)HEMT「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產,該二款產品非常適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。 據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半,為實現無碳社會,如何提高它們的效率已成為全球性的課題。而功率元件則是提高電源效率的關鍵,碳化矽(SiC)和GaN等新世代半導體材料在進一步提升電源效率方面被寄予厚望。2022年ROHM將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN...
2023 年 05 月 22 日