ST雙管齊下布局SiC/GaN製造

半導體製造在全球的產業發展中不僅有重要的戰略意義,也是各項新興技術的推手。近年來,半導體供應鏈面對疫情、經濟局勢變化與地緣政治事件的衝擊,積極朝向提高供應鏈韌性的目標前進。半導體供應商如意法半導體(ST),便積極透過製造基地布局、技術整合與建立永續生產模式等作法,期望強化企業的發展性。...
2023 年 05 月 18 日

CGD新推第二代ICeGaN HEMT產品

Cambridge GaN Devices(CGD)是一家無晶圓廠無塵技術半導體公司,開發一系列節能的GaN型功率裝置,目標是實現更環保的電子裝置;CGD近日宣布推出第二代的ICeGaN 650V氮化鎵HEMT系列產品,提供耐用性、易於使用及最高效率等特色。...
2023 年 05 月 16 日

Tesla減少用量引發議論 碳化矽前景依然可期(1)

Tesla近日宣布將減少碳化矽元件用量,減少幅度最高可達75%,引發市場對碳化矽功率元件前景的疑慮。但考量到目前並無其他可以完全取代碳化矽的技術,再加上工業、再生能源等應用對碳化矽功率元件的需求依然十分強勁,碳化矽未來的發展潛力依然十分巨大。...
2023 年 05 月 15 日

射頻PA市場改朝換代 氮化鎵模組引領風騷

據市場研究機構Yole Group的預估,在無線存取網路(RAN)設備市場上,2023年將是一個重要的轉折點。原本這類設備所使用的射頻放大器(RF PA),多是以採用LDMOS製程生產的分立元件組成,但隨著設備製造商希望提高整合度、簡化設計,模組式解決方案變得更受歡迎。...
2023 年 05 月 08 日

推動WBG元件應用普及 故障分析能力至為關鍵(2)

寬能隙元件(WBG)直到最近幾年才開始被廣泛運用在電源領域,尚無法確知其長期效能表現。這個問題成為許多應用開發者導入時的障礙。為精準預測這類元件的長期表現,我們需要新的生命週期模型。 GaN元件特性與故障分析...
2023 年 05 月 02 日

推動WBG元件應用普及 故障分析能力至為關鍵(1)

寬能隙元件(WBG)直到最近幾年才開始被廣泛運用在電源領域,尚無法確知其長期效能表現。這個問題成為許多應用開發者導入時的障礙。為精準預測這類元件的長期表現,我們需要新的生命週期模型。 氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)元件具有獨特屬性,因此日漸成為電力電子應用中矽的替代品。SiC...
2023 年 05 月 02 日

功率密度追求無止境 被動元件成小型化設計關鍵(2)

機櫃空間寸土寸金,雲端服務大廠無不希望PSU的尺寸能越小越好。要實現更小巧的PSU設計,縮小被動元件的體積將是重點中的重點。 封裝進化讓PSU散熱更好解 除了縮小線圈外,如何縮小元件封裝尺寸跟提升散熱性能,也是PSU小型化的重要關鍵。英飛凌日前宣布,其高壓...
2023 年 04 月 28 日

功率密度追求無止境 被動元件成小型化設計關鍵(1)

機櫃空間寸土寸金,雲端服務大廠無不希望PSU的尺寸能越小越好。要實現更小巧的PSU設計,縮小被動元件的體積將是重點中的重點。  隨著開放運算計畫(OCP)所制定的M-CRPS規範大致底定,未來高階伺服器PSU的功率密度,勢必將突破100W/立方英吋大關。對PSU供應商而言,這是相當大的技術挑戰,因為PSU不只要小巧,還必須同時滿足效率、穩定性與EMI等要求。而且這些設計指標之間,有時是彼此矛盾的。...
2023 年 04 月 28 日

伺服器PSU面臨雙重挑戰 寬能隙元件機會來了(3)

成本是伺服器或PC電源供應器導入寬能隙元件的最大阻礙,但由於法規跟客戶對轉換效率與外觀尺寸的要求越來越嚴格,在高階PSU上使用寬能隙元件,已成為必然的趨勢。 英飛凌購併GaN Systems WBG布局更全面...
2023 年 04 月 27 日

伺服器PSU面臨雙重挑戰 寬能隙元件機會來了(2)

成本是伺服器或PC電源供應器導入寬能隙元件的最大阻礙,但由於法規跟客戶對轉換效率與外觀尺寸的要求越來越嚴格,在高階PSU上使用寬能隙元件,已成為必然的趨勢。 SiC vs. GaN 寬能隙內戰漸趨白熱化...
2023 年 04 月 27 日

伺服器PSU面臨雙重挑戰 寬能隙元件機會來了(1)

成本是伺服器或PC電源供應器導入寬能隙元件的最大阻礙,但由於法規跟客戶對轉換效率與外觀尺寸的要求越來越嚴格,在高階PSU上使用寬能隙元件,已成為必然的趨勢。 對伺服器所使用的電源供應器(PSU)而言,電源轉換效率一直是很重要的技術指標。在同樣的輸出功率下,轉換效率越高的PSU不僅越節能,同時也可以幫助使用者省下可觀的冷卻成本。...
2023 年 04 月 27 日

IGBT實現可靠高功率應用

近期碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙半導體的應用日益增多,受到市場廣泛關注。然而,在這些新技術出現之前,許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣閘雙極電晶體(IGBT),事實上,許多此類應用仍然適合繼續使用...
2023 年 04 月 21 日