圖1　GAA奈米片的穿透式電子顯微鏡圖

可製造性大幅提升　外壁叉型片解決GAA量產難題

頂尖晶圓代工廠和垂直整合製造商(IDM)正持續為實現2奈米(或相當等級)技術節點的量產而發展，而環繞閘極(GAA)奈米片(Nanosheet)電晶體在該節點扮演核心角色。GAA奈米片元件架構一直作為鰭式場效電晶體(FinFET)的後繼技術而推行，讓靜態隨機存取記憶體(SRAM)和邏輯標準單元得以進一步縮小尺寸。...
2025 年 12 月 29 日

imec展示可調式膠體量子點SWIR光譜感測器新平台

imec近日發表在其12吋CMOS試驗製程上開發的超穎表面上整合膠體量子點光電二極體(QDPD)研究成果。這套方法能夠實現用於緊湊型微型化短波紅外線(SWIR)光譜感測器開發的可調式平台，建立一套用於經濟高效的高解析度頻譜成像解決方案之全新標準。...
2025 年 12 月 17 日

imec展示與英特爾/台積電合作成果　2D材料取得重大進展

imec在2025年國際電機電子工程師學會(IEEE)所舉辦的國際電子會議(IEDM)上，展示了包含單層二硒化鎢(WSe2)通道的p型場效電晶體(pFET)所具備的顯著性能升級，以及用於源極/汲極接點成形和閘極堆疊整合且與晶圓廠相容的改良版模組。這些研究成果透過imec與半導體製造商的合作來實現，為基於2D材料的元件技術之重大進展。...
2025 年 12 月 11 日

聯電/imec簽署技術授權協議　加速12吋矽光子平台發展

聯華電子今日宣布，與先進半導體技術創新研發中心imec簽署技術授權協議，取得imec iSiPP300矽光子製程。該製程具備共封裝光學相容性，將加速聯電矽光子技術的發展。藉由此次授權合作，聯電將推出12吋矽光子平台，瞄準下世代高速連接應用市場。...
2025 年 12 月 08 日

物理學的最後一道紅線：0.2nm晶片如何靠「疊羅漢」續命摩爾定律？

如果把一顆矽原子放大到一顆棒球那麼大，那麼你現在手上的iPhone處理器，大概就是把整個台北市塞進一個火柴盒裡的精密程度。但人類還不滿足，半導體產業的瘋狂工程師們現在盯上了一個讓人頭皮發麻的數字：0.2nm。...
2025 年 11 月 27 日
圖6　(圖左與圖中)環型振盪器上的鰭型結構掃描傳輸電子顯微鏡(STEM)影像與(圖右)貫穿閘極(能量色散X射線光譜儀，即EDS)的元素標示顯示CMOS圖形化與鉬基p型功函數金屬堆疊的良好均勻一致性。

DRAM儲存密度要求只增不減　熱穩定FinFET潛力可期

數十年來，動態隨機存取記憶體(DRAM)一直是運算系統中的主記憶體，扮演暫存器的角色，讓運算處理單元可以更快存取資料和程式碼。高速運作、高整合密度、成本效益和出色的可靠度，讓DRAM技術能夠在多種電子設備中得到廣泛應用。...
2025 年 11 月 21 日

實驗室與產線之間的距離　量產量子晶片是下階段賽道

2025年9月，比利時imec的12吋晶圓廠內發生了一件看似平凡的事：澳洲新創Diraq隨機抽取生產線上的量子晶片，每一片都達到99%保真度，符合量子糾錯的商業門檻。 這個「批批合格」的成果，對比IBM剛突破的1121個量子位元里程碑，數字上毫不起眼，意義卻截然不同。前者終結了學術界「百中挑一」的良率困境，後者仍是實驗室的極限挑戰。...
2025 年 11 月 17 日
圖1　imec分級系統的範例此處提及的計算採用逐步方法：先測定各成分的分子量和單體比例，接著考量各化合物在該光阻劑配方的分子量百分比，最後計算各化合物內部的PFAS原子百分比，並明確排除氫原子。為了確保一致性，芳香氟結構未被視為PFAS，並將溶劑忽略不計，因為溶劑在處理過程中會蒸發。

排除半導體製程中的PFAS　光阻/清洗材料取得初步進展

全氟與多氟烷基物質(PFAS)由於具備包含抗熱、抗水及抗油的特性，一直是各式產業的重要基石。然而，這些「永久化學物質」的環境持續性及潛在的健康風險逐漸帶來更多的法規稽查和驅動替代方案的探尋。半導體業在微影及蝕刻等製程倚重PFAS的特性，目前正處在這波轉型的前哨。儘管半導體微影越來越致力於減少PFAS用量，但依然得靠這些材料進行。...
2025 年 10 月 29 日

愛思強等五家公司攜手imec開展12吋氮化鎵功率元件研究

愛思強、格羅方德、美商科磊、新思科技與威科儀器攜手imec共同鎖定12吋晶圓的氮化鎵(GaN)功率元件研究方向，成為首批研究夥伴。該研究方向為imec氮化鎵功率元件產業聯盟計畫(IIAP)的部分，成立目標是開發12吋氮化鎵磊晶成長，以及高壓與低壓氮化鎵高電子遷移率電晶體(HEMT)製程流程。採用12吋基板不只將能降低氮化鎵元件的製造成本，未來還可以實現更先進功率電子元件的開發，例如用於CPU和GPU的高效低壓負載點(POL)轉換器。...
2025 年 10 月 07 日

imec任命Patrick Vandenameele為新任執行長

比利時微電子研究中心(imec)的董事會宣布，已任命Patrick Vandenameele為下一任執行長，將於2026年4月1日生效，現任執行長Luc Van den hov則將擔任imec董事會主席。...
2025 年 10 月 01 日

imec達成High-NA EUV單次圖形化里程碑

比利時微電子研究中心(imec)在2025年國際光電工程學會(SPIE)光罩技術暨極紫外光微影會議上，發表了兩項有關單次壓印極紫外光(EUV)微影的突破性進展，分別是間距為20奈米的導線圖形，包含與鑲嵌金屬化製程相關的13奈米圖形端到端(T2T)關鍵尺寸(CD)，以及在20奈米間距下，利用直接金屬蝕刻(Direct...
2025 年 09 月 30 日

愛德萬測試推出次世代CD-SEM E3660 提升光罩製造精度超過20%

半導體測試設備供應商愛德萬測試近日宣布，推出專為先進半導體製程光罩和極紫外光(EUV)光罩之精密尺寸量測所設計的次世代CD-SEM E3660。與前代E3650相比，E3660在關鍵尺寸(CD)再現性上提升逾20%，幫助製程工程師滿足2奈米節點及更先進製程對光罩製造的要求。透過強化先進元件製造中的微影製程控制，E3660進一步實踐了愛德萬測試在半導體價值鏈中提供全面性測試解決方案的願景。...
2025 年 09 月 15 日
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