愛德萬測試推出次世代CD-SEM E3660 提升光罩製造精度超過20%

半導體測試設備供應商愛德萬測試近日宣布，推出專為先進半導體製程光罩和極紫外光(EUV)光罩之精密尺寸量測所設計的次世代CD-SEM E3660。與前代E3650相比，E3660在關鍵尺寸(CD)再現性上提升逾20%，幫助製程工程師滿足2奈米節點及更先進製程對光罩製造的要求。透過強化先進元件製造中的微影製程控制，E3660進一步實踐了愛德萬測試在半導體價值鏈中提供全面性測試解決方案的願景。...
2025 年 09 月 15 日
感測器是實現生物化學製程革命的關鍵技術

結合科技量能與領域知識　生物/化學製造改頭換面

生物與化學製程是生產許多生活必需品不可或缺的關鍵技術，從化妝品、洗衣劑到必備食材和救命的藥劑，都離不開生物與化學製程。若能讓這些製程變得更有效率和智慧化，我們就能以更平價和永續的方式製造更高品質的終端產品。結合頂尖的晶片技術、人工智慧(AI)和人類的在生物、化學領域累積的專業知識，我們將有機會徹底改造其生產方法。...
2025 年 08 月 27 日

Infinitesima啟動三年開發專案　攜手ASML推進半導體量測技術

Infinitesima宣布，正式啟動為期三年的開發專案，並與包括ASML在內的多家合作夥伴攜手合作。本次專案將運用Metron3D 300毫米線上晶圓量測系統，針對尖端應用進行最佳化與探索，包括混合接合、極紫外光微影，以及如互補場效電晶體等3D邏輯裝置結構。...
2025 年 07 月 24 日

克服DRAM微縮/耗電難題　無電容IGZO DRAM興起

動態隨機存取記憶體(DRAM)是傳統電腦架構內的主要記憶體，其記憶體單元是由一顆電容器(Capacitor)和一顆矽基電晶體(Transistor)所組成，因此這種架構又被稱為1T1C架構。電容器的功能是儲存電荷，電晶體則是用來讀取該電容，不論是讀取儲存的電荷量，或是儲存新的電荷。...
2025 年 07 月 14 日

SRAM微縮面臨瓶頸　SOT-MRAM技術可望接棒

數十年來，超高速且具揮發性的靜態隨機存取記憶體(SRAM)一直用來當作高性能運算架構的嵌入式快取記憶體；在這些架構中，SRAM置於一套緊鄰處理器的多層(L1、L2、L3等等)階層式系統內。其功能是儲存常用資料及快取指令，其中L1是速度最快的快取記憶體。SRAM位元密度的發展已經放緩一段時間了，而記憶體單元越來越容易面臨待機功耗的問題。...
2025 年 06 月 06 日

NoC/BSPDN共整合　STCO解決晶片微縮難題

在雲端運算這個風雲變幻的領域，盡可能在物理和功率限制下釋出最大的運算資源已經成為首要之務。雲端服務商試圖透過設計性能強大的多核處理器來最佳化資料中心的效率，這些處理器單顆晶片的CPU核心數量通常超過100個，藉此同時服務眾多用戶。這種高密度設計可以共享硬體資源，包含網路、記憶體和儲存設備，這能讓每顆CPU成為可租用的運算單元。...
2025 年 05 月 14 日

蘋果副總Johny Srouji獲頒2025年imec終身創新獎

比利時微電子研究中心(imec)宣布，蘋果硬體技術資深副總Johny Srouji將獲頒2025年imec終身創新獎。該獎項認可Srouji在開發蘋果晶片時運用他的領導才能，在塑造蘋果的技術發展藍圖方面發揮的關鍵作用。他不僅重新定義蘋果的產品，也深深影響著更廣泛的半導體生態系，促進晶片技術的進步，把功能、體驗和人工智慧(AI)推升到全新高度。Johny...
2025 年 04 月 16 日

先進SoC面臨散熱挑戰　熱學分析突顯STCO重要性(1)

持續微縮導致功率密度增加，還帶來干擾的副作用：熱能。高溫會影響系統單晶片(SoC)性能的多種面向，包含處理速度、功率效率、可靠度、資料傳輸量和訊號完整性。為了在未來節點維持更緊湊、更高效能晶片的最佳性能和使用壽命，有效的散熱管理變得更加關鍵。...
2025 年 04 月 11 日

先進SoC面臨散熱挑戰　熱學分析突顯STCO重要性(2)

持續微縮導致功率密度增加，還帶來干擾的副作用：熱能。高溫會影響系統單晶片(SoC)性能的多種面向，包含處理速度、功率效率、可靠度、資料傳輸量和訊號完整性。為了在未來節點維持更緊湊、更高效能晶片的最佳性能和使用壽命，有效的散熱管理變得更加關鍵。...
2025 年 04 月 11 日

imec成功研發分散式雷達　空間感測精度更上一層樓

比利時微電子研究中心(imec)開創全球首例，成功建立及測試一套由光子電路驅動的分碼多工(CDM)調頻連續波(FMCW) 144GHz分散式雷達概念驗證系統，確保傳輸同調啁啾訊號(Chirp)到遠端雷達單元。imec的概念驗證展示成功的測距量測結果，可望對多節點雷達系統的發展帶來重大突破。與單節點雷達相比，多節點雷達具備更優異的角度解析度，能帶來更精準的感測結果。展望未來，這項技術可望推動新一代駕駛輔助系統(ADAS)和其他高精度感測應用的發展變革。...
2025 年 04 月 09 日

從2D FET到2D CFET　製程微縮帶動2D材料需求(1)

為延續摩爾定律(Moore’s Law)，半導體製程微縮的技術創新方向不斷轉變。採用2D結構的互補式場效電晶體(CFET)，將是下一個推動產業變革的技術。 近二十年來，受摩爾定律啟發的純電路微縮，已不再是預測CMOS技術節點演變的唯一指標。第一個徵兆出現在2005年左右，當時Dennard縮放已經開始放慢。(編按：Dennard定律是指在固定功耗下，製程節點升級可帶來的性能提升幅度)。...
2025 年 03 月 28 日

從2D FET到2D CFET　製程微縮帶動2D材料需求(2)

為延續摩爾定律(Moore’s Law)，半導體製程微縮的技術創新方向不斷轉變。採用2D結構的互補式場效電晶體(CFET)，將是下一個推動產業變革的技術。 引進較低性能的元件—imec採取的途徑...
2025 年 03 月 28 日
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