改善光源/生產力 EUV拼10奈米量產商用

採用極紫外光(EUV)微影(Lithography)設備的10奈米製程量產在即。艾司摩爾(ASML)已開發出第三代EUV微影方案–NXE:3300B,大幅提升光源效能和生產力(Throughput),並計畫於2016年底前,達到每天曝光一千五百片晶圓目標,助力客戶加速啟動10奈米互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程量產。 ...
2014 年 09 月 15 日

ASML:量產型EUV機台2015年就位

極紫外光(EUV)微影技術將於2015年突破量產瓶頸。傳統浸潤式微影技術在半導體製程邁入1x奈米節點後將面臨物理極限,遂使EUV成為產業明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠,合力改良EUV光源功率與晶圓產出速度,預計2015年可發布首款量產型EUV機台。 ...
2013 年 08 月 19 日

觸控回饋技術加持 手機/平板更有「觸感」

當前觸控技術競爭激烈,專注研發觸控回饋技術的Immersion則透過全新的MOTIV開發平台,提供軟體業者為搭載Android系統的智慧型手機與平板電腦打造富觸覺感應效果的應用程式,創造更好的使用者體驗。 ...
2011 年 06 月 15 日

先進製程競爭加劇 EUV提前商用有譜

受到邏輯晶圓廠與儲存型快閃(NAND Flash)記憶體製造商大舉加碼先進製程的激勵,微影(Lithography)掃描機大廠艾司摩爾(ASML)與極紫外光(EUV)雷射光源供應商西盟(Cymer)均已緊鑼密鼓展開量產用EUV微影掃描機台的相關研發工作,預計2012年可望率先用於22奈米製程節點的商用生產。 ...
2010 年 12 月 13 日

設備商出新招 半導體製造成本再下探

甫於日前落幕的日本半導體設備暨材料展(SEMICON Japan 2010)上,包括應用材料(Applied Materials)與艾司摩爾(ASML)等設備大廠分別宣布,在半導體蝕刻(Etch)與微影(Lithography)製造技術上取得新的突破,將可大幅提升半導體業者在先進製程世代的製造良率,並降低整體營運成本。 ...
2010 年 12 月 07 日

延續摩爾定律商機 3D IC/先進製程缺一不可

今年國際半導體展,除涵蓋LED製程、MEMS、綠色製程與二手設備外,最受關注的熱門焦點,莫過於3D IC的發展,尤其在矽穿孔技術日趨成熟後,3D IC商用腳步也逐漸加快,可望在先進製程的搭配下,實現更高的晶片整合。
2010 年 10 月 07 日

台積電相挺 EUV/E-Beam決戰22奈米世代

台積電日前相繼宣布將導入與Mapper合作開發的無光罩(Maskless)微影,以及艾司摩爾(ASML)最新極紫外光(EUV)微影系統TWINSCAN NXE:3100於22奈米製程的研發,讓原本發展相對落後的電子束(E-Beam)技術後來居上,並將與EUV一同角逐下世代微影技術主流寶座。 ...
2010 年 02 月 24 日

3D IC/DDR3帶動半導體CAPEX反彈

在技術轉換需求的激勵下,2010年全球半導體資本設備支出預期將勁揚45.3%,並自2010年底起一路大幅成長至2011年。   Gartner研究副總Dean...
2009 年 12 月 15 日

專訪ASML研發副總裁Jos Benschop

歷經將近20年的發展,極紫外光(EUV)微影技術終於在相關業者的努力下,穩步邁向大量商用階段。尤其是近期在光學鏡頭與光阻劑(Photoresist)的發展取得重大斬獲,更加確立EUV在下世代微影技術的重要角色。不過,「革命尚未成功」,眼前還有最後一道難題--光罩缺陷檢測(Mask...
2009 年 11 月 23 日