瑞薩與台積合作開發車用MCU

瑞薩電子與台積(TSMC)近日共同宣布,雙方合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術,以生產支援新世代環保汽車與自動駕駛車的微控制器(MCU)。採用此全新28奈米製程技術生產的車用MCU,預計於2017年提供樣品,2020年開始量產。 ...
2016 年 09 月 05 日

瑞薩開發MONOS快閃記憶體技術提升汽車控制系統智慧

瑞薩(Renesas)宣布開發90奈米(nm)單電晶體MONOS(1T-MONOS)快閃記憶體技術,可結合各種製程如CMOS與雙極CMOS DMOS(BiCDMOS),並提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重寫耗電量。該公司預期此全新快閃記憶體電路技術,將能使快閃記憶體加入至汽車類比裝置,並具備更高的效能與可靠性。 ...
2016 年 03 月 09 日

瑞薩電子與台積電攜手40奈米製程技術合作

瑞薩電子(Renesas Electronics)與台積電共同宣布,雙方已簽署協議,擴大在微控制器(MCU)技術方面的合作至40奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程,以生產應用於下一世代汽車及家電等消費性產品的微控制器。 ...
2012 年 05 月 29 日

瑞薩32位元MCU搭載40柰米快閃記憶體

瑞薩電子(Renesas Electronics)推出針對汽車用途設計的全新32位元微控制器(MCU)–RH850系列。RH850採用40奈米(nm)金屬氧化氮氧化矽(MONOS)嵌入式快閃記憶體,並以32位元核心技術展現運算能力,提供超低功率處理科技所帶來的效益。 ...
2012 年 03 月 19 日

瑞薩電子發表40奈米嵌入式快閃記憶體IP

快閃記憶體設計技術之半導體解決方案供應商瑞薩電子(Renesas Electronics),已開發出40奈米(nm)記憶體智慧財產權(IP),首度使用此技術在汽車應用領域,並推出嵌入式快閃記憶體微控制器(MCU)。其將於2012年秋季開始供應樣品。 ...
2011 年 12 月 28 日