英飛凌源極底置功率MOSFET系列添新員

未來電力電子系統的設計不斷進化,追求先進的效能和功率密度。為滿足這項趨勢,英飛凌科技(Infineon)在25~150V等級產品中推出全新源極底置3.3×3.3mm² PQFN系列,包括底部冷卻(BSC)和雙面冷卻(DSC)兩個版本。新產品系列從元件層級加以大幅強化,提供極為吸引人的DC-DC電源轉換解決方案,為伺服器、電信、OR-ing、電池保護、電動工具、充電器應用的系統創新開啟嶄新的可能性。...
2022 年 12 月 30 日

英飛凌SD功率MOSFET新添PQFN封裝裝置

當代的電源系統設計需求高功率密度等級和精巧的外型尺寸,以期得到最高的系統級效能。英飛凌科技(Infineon)透過專注於元件級的強化達到系統創新,來應對此一挑戰。繼2月份推出25V裝置後,英飛凌再推出...
2020 年 11 月 05 日

英飛凌推OptiMOS源極底置25V功率MOSFET

英飛凌(Infineon)持續專注於解決現今電源管理設計面臨的挑戰,透過元件層級的強化實現系統創新。源極底置(Source Down)是符合業界標準的全新封裝概念,英飛凌已推出首批基於該封裝概念的功率MOSFET—採用PQFN3.3×3.3mm封裝的OptiMOS...
2020 年 02 月 21 日

打造更節能電力電子系統 高效率IGBT/MOSFET擔重任

由於政府和終端客戶皆要求設備更低的耗電量及更高的節能效率,因此電力電子元件在照明、家電、加熱和通風系統、電動車及大功率工業電機等電子系統中的重要性持續攀升。
2014 年 02 月 08 日

IR推出25V功率MOSFET系列

國際整流器(IR)推出25伏特(V)FastIRFET創新功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列,適用於電訊與網路通訊設備、伺服器、顯示卡、桌上型電腦、超輕薄筆電(Ultrabook)和筆記型電腦等直流對直流(DC-DC)同步降壓應用。 ...
2013 年 10 月 03 日

IR擴展低功率應用PQFN封裝MOSFET

全球功率半導體和管理方案廠商美商國際整流器(IR)擴展其PQFN封裝系列,推出新款的PQFN 2毫米×2毫米和PQFN3.3毫米×3.3毫米封裝。新型封裝把兩個採用 IR最新矽技術的HEXFET 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)整合,為低功率應用,包括智慧型手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、DC馬達和無線電感充電器,以及筆記型電腦、伺服器和網通設備,提供高密度,低成本的解決方案。 ...
2011 年 07 月 26 日

國際整流器發表PQFN封裝高電壓閘極驅動IC

全球功率半導體和管理方案供應商國際整流器(IR)擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 4毫米×4毫米封裝,且配合國際整流器最新的高電壓閘極驅動IC,為一系列應用,包括家庭電器、工業自動化、電動工具和替代能源等,提供一個超精密、高密度和高效率的解決方案。 ...
2011 年 07 月 05 日

IR推超小型功率MOSFET擴展產品組合

美商國際整流器(IR)日前擴展其封裝系列,推出新款的PQFN 2毫米×2毫米封裝,且配合IR最新的HEXFET金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)矽技術,為一系列的低功耗應用,包括智慧手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、筆記本電腦、伺服器和網路通訊設備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案。 ...
2011 年 06 月 24 日

快捷功率級非對稱雙MOSFET元件簡化設計

電源工程師一直面對縮小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰,而在筆記型電腦、負載點(Point-of-load)、伺服器、遊戲和電訊應用中,上述兩點尤其重要。為協助設計人員面對這些挑戰,快捷半導體(Fairchild)已開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)模組,達成高功率密度與簡化設計的需求。 ...
2011 年 06 月 24 日

滿足高功率/易設計要求 快捷雙MOSFET亮相

為在兼顧小尺寸前提下,提高功率密度,快捷(Fairchild)推出功率級非對稱雙金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),以因應運算裝置追求更快處理器執行速度與更小體積的設計要求。  ...
2011 年 06 月 21 日