英飛凌/台積電將RRAM技術導入車用MCU

英飛凌(Infineon)和台積電(TSMC)宣布雙方準備將台積電的電阻式隨機存取記憶體(RRAM)非揮發性記憶體(NVM)技術引入英飛凌的新一代AURIX微控制器(MCU)。 自從引擎管理系統問世以來,嵌入式快閃微控制器一直是汽車電子控制單元(ECU)的主要建構區塊。它們是潔淨、安全和智慧汽車的重要元件,用於推進系統、車輛動態控制、駕駛輔助和車身應用,可在汽車領域方面實現電氣化、全新E/E架構和自動駕駛方面的重大創新。目前,市場上的大多數MCU系列都是採用嵌入式快閃記憶體技術。RRAM則是嵌入式記憶體的下一階段,可望進一步擴展到28nm及以上製程。...
2022 年 12 月 09 日

容量/速度需求持續攀升 次世代記憶體研發腳步不停歇

在人工智慧(AI)等新應用的帶動下,運算單元的效能不斷升級,也連帶讓儲存資料的記憶體必須具備更大的容量,且資料傳輸的頻寬、延遲要求亦日益嚴格。因此,業界一方面持續在動態隨機存取記憶體(DRAM)跟快閃記憶體技術上投入研發資源,另一方面也在次世代記憶體的研發方面展現更積極的態度,並與像imec這樣的研究機構進行更多研發方面的合作。...
2022 年 05 月 12 日

IDM/晶圓代工同步起跑 新興記憶體市場起飛

在整合元件製造商(IDM)與晶圓代工業者陸續攻克種種技術門檻後,次世代非揮發記憶體已進入大量生產階段,並使得相關市場規模迅速成長。據研究機構Yole Developpement預估,從2019年到2025年,獨立型新興記憶體的市場規模將從5億美元成長到41億美元,複合年增率(CAGR)可達42%;嵌入式記憶體的市場規模則成長更快,可望從2,000萬美元成長到21億美元,CAGR為118%。...
2020 年 03 月 16 日

兼具高容量/可微縮優勢 新興記憶體崛起銳不可擋

AI和5G等應用讓資料量大增,使儲存需求爆發;半導體產業因而轉向發展具高容量、更快速及低功耗等優勢的新興記憶體。
2020 年 01 月 06 日

新興非揮發性記憶體2017~2019 CAGR高達230%

產業研究機構Yole Développement(Yole)表示,新興非揮發性記憶體NVM,包括MRAM、RRAM和PCM等,隨著物聯網、5G、人工智慧(AI)、雲端運算等發展越受注目。認為,DRAM的發展將在未來五年繼續,但速度將放緩。由於3D半導體技術不斷進步,NAND密度不斷增加。新興的NVM不會取代NAND和DRAM,但會以各種記憶體加速的方式出現。此外,SCM(Storage...
2019 年 01 月 03 日

工研院技術突破 超低電壓晶片/NVRAM量產有望

鎖定行動裝置低耗電設計要求,工研院正全力發展0.6伏特以下超低電壓晶片,及低功耗非揮發性記憶體(NVRAM),並於近期展示初步研發成果;此將協助台灣IC設計業者提高SoC與記憶體技術實力,與美、日、韓業者爭搶行動裝置核心零組件商機。
2013 年 02 月 25 日

緊追日韓記憶體廠 工研院試產次世代NVRAM

工研院次世代非揮發性記憶體(NVRAM)即將試產。現有揮發性DRAM、SRAM及非揮發性快閃(Flash)記憶體,將分別面臨20或15奈米(nm)以下製程微縮的物理極限,難以持續改善晶片體積與耗電量;因此,除日韓一線記憶體廠正加緊量產新興磁性記憶體(MRAM)、電阻式記憶體(RRAM)外,工研院電光所亦攜手國內業者投入相關晶片研發,預計今年即可進入試產階段。 ...
2013 年 01 月 10 日