SiC/GaN最佳化傳動系統效率 實現EV節能設計(1)

電動車的傳動系統至關重要,其核心元件是牽引逆變器。牽引逆變器是電動交通工具提升效率和永續性的關鍵,會直接影響功率輸出,並大幅改變汽車動力。電動車效率的提升,也必須考慮整合輔助子系統,並運用高階半導體技術。...
2024 年 02 月 02 日

SiC/GaN最佳化傳動系統效率 實現EV節能設計(2)

電動車的傳動系統至關重要,其核心元件是牽引逆變器。牽引逆變器是電動交通工具提升效率和永續性的關鍵,會直接影響功率輸出,並大幅改變汽車動力。電動車效率的提升,也必須考慮整合輔助子系統,並運用高階半導體技術。...
2024 年 02 月 02 日

功率/矽光子同步帶動 化合物半導體成長可期

研究機構Yole Group預期,在矽光子(Photonics)與功率應用的帶動下,化合物半導體基板跟磊晶圓(Epiwafer)市場規模在未來幾年將出現明顯成長。預估到2029年時,整體化合物半導體基板的市場規模將成長到33億美元,2023年~2029年間的複合年增率(CAGR)為17%。碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)與磷化銦(InP)會是成長排名前三的化合物半導體基板。研究機構Yole...
2024 年 02 月 01 日

致瞻科技採用ST SiC技術提升電動車空調壓縮機控制器效能

意法半導體(ST)宣布與致瞻科技合作,為其電動車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化矽(SiC)MOSFET技術。高效能控制器能為新能源車帶來諸多益處,以60kWh~90kWh動力電池容量的中型電動車為例,續航里程可延長5到10公里,在夏冬兩季的效果尤為明顯。...
2024 年 01 月 30 日

確保碳化矽電源系統可靠度 元件溫度不宜超過鋁熔點

碳化矽功率元件的本質載子濃度(ni)在室溫下非常低,約在1X10-9cm-3,當溫度上升到超過1,200℃時,才會趨近於磊晶背景的濃度。當元件溫度升高到這個水準,由於本質載子濃度與摻雜濃度相近,碳化矽功率元件的特性將消失,造成其無法正常工作,進而可能發生熱跑脫(Thermal...
2024 年 01 月 11 日

善用背向分析技術 基板移除速找GaN晶片異常點(1)

第三類半導體因具有寬能隙、低漏電、耐高電壓及高溫等特性,且其能源轉換效率更好,因此普遍被應用於功率元件。而氮化鎵元件可支援更高的開關切換頻率,並提供極佳的功率密度,在相同電氣性能下,可有效縮減整體系統的尺寸。...
2024 年 01 月 08 日

ST SiC助力理想汽車進軍高壓純電動車市場

意法半導體(ST)與理想汽車簽立碳化矽(SiC)長期供貨協議,意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET,支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略。 隨著汽車產業電動化和綠色低碳持續轉型,高壓純電動車因其效能更高、續航里程更遠,已成為汽車製造商的熱門選擇。除了知名的增程式電動車(Extended-Range...
2024 年 01 月 08 日

專訪英飛凌科技高級副總裁曹彥飛:車用GaN/SiC技術/產能邁大步

汽車電動化已經是不可逆的市場趨勢,車用IC供應商紛紛投入更多電動車相關的研發能量與布局力道,搶攻電動車商機。在電動車的能源系統中,盡可能提升能源轉換效率是重要的目標,因此寬能隙半導體碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)的市場熱度,隨著電動車的快速發展成長。...
2024 年 01 月 08 日

善用背向分析技術 基板移除速找GaN晶片異常點(2)

第三類半導體因具有寬能隙、低漏電、耐高電壓及高溫等特性,且其能源轉換效率更好,因此普遍被應用於功率元件。而氮化鎵元件可支援更高的開關切換頻率,並提供極佳的功率密度,在相同電氣性能下,可有效縮減整體系統的尺寸。...
2024 年 01 月 08 日

PI新閘極驅動器適用於高額定電壓SiC/IGBT模組

Power Integrations(PI)宣布推出適用於額定電壓達1,700V的62mm碳化矽(SiC)MOSFET和矽IGBT模組的新型隨插即用閘極驅動器系列,該系列具有增強的保護功能,可確保裝置安全且可靠地運作。SCALE-2...
2023 年 12 月 19 日

ST推出車規雙列直插碳化矽功率模組

意法半導體(ST)推出ACEPACK DMT-32系列車規碳化矽(SiC)功率模組,新系列產品採用32腳位雙列直插通孔塑膠封裝,目標應用為車載充電器(OBC)、DC/DC直流變壓器、油液幫浦、空調等汽車系統,產品優勢包括高功率密度、小尺寸設計和裝配簡易等,其提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置,強化了系統設計的彈性。...
2023 年 12 月 15 日

GaN大破電動車效能瓶頸

在電動車市場蓬勃發展之際,化合物半導體氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)成為應用關鍵。目前特斯拉導入SiC,更確立了採用化合物半導體是電動車產業不可逆的趨勢。SiC與GaN 都適用於高頻、高壓的情境,有助於實現電動車充電器快充,緩解車主的里程焦慮。目前GaN尚有技術挑戰待克服,也能拓展儲能與微型電動車等商機。...
2023 年 12 月 11 日

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