TI針對IGBT與SiC FET設計推出閘極驅動器

2013 年 03 月 06 日

德州儀器(TI)針對絕緣閘雙極電晶體(IGBT)與碳化矽(silicon carbide, SiC)單結型場效應電晶體(FET)的設計,推出業界首款35伏特(V)單通道輸出電源管理閘極驅動器。
 



德州儀器最新UCC27531與UCC27532輸出級閘極驅動器支援獨立輸出,可為隔離式電源設計提供最高效率輸出驅動功能、最低傳輸延遲及更完善的系統防護,應用範圍如太陽能直流對交流(DC-AC)逆變器、不斷電電源供應與電動車充電等。
 



現今再生能源應用需要更有效率、安全地傳送電力的電源元件。設計人員希望採用在超過400伏特(V)的電壓下仍可降低功耗的IGBT或最新SiC FET。這些裝置不但支援高達1200V的暫時過電壓(Stand-off Voltage),且提供比同等金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)更低的導通電阻(ON Resistance)。德州儀器MCU或專用數位電源控制器如UCD3138,可管理這些裝置。
 



UCC27531和UCC27532可避免數位控制器在太靠近電源電路系統的地方運作,可延長隔離式電源設計方案的壽命。
 



德州儀器網址:www.ti.com

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