TI GaN技術推升資料中心效率

作者: 吳心予
2022 年 05 月 27 日

隨著台灣和世界各地資料中心快速增加,使得供電效率的需求隨之上升。德州儀器(TI)副總裁暨台灣、韓國與南亞總裁李原榮於2022 COMPUTEX Taipei論壇中,分享設計工程師如何利用氮化鎵(GaN)技術為資料中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案,進而在現有的資料中心實現最大效率。

德州儀器副總裁暨台灣、韓國與南亞總裁李原榮分享設計工程師如何利用氮化鎵技術

 

李原榮表示,隨著各產業領導者期盼透過資料中心實現技術創新,也提高了運算能力的需求,希望協助客戶充分發揮氮化鎵(GaN)技術的潛力,以實現更高的功率密度和效率。多年來,TI一直致力於支援台灣和全球客戶在不同應用領域中迅速發展。TI 的自有產能和長期投資使我們能夠快速擴展氮化鎵(GaN)等各項技術,以協助客戶透過實現更小的系統來滿足不斷增長的市場需求,進而以更高的效率處理更多數據。

面對擴建資料中心的有限空間和伺服器持續運行所需的大量電力,企業必須不斷提高資料中心的用電效率及功率密度。TI的GaN FET如LMG3525R030整合快速切換驅動器,以及內部保護與溫度感測功能,可在有限的電路板空間中具有更高效能表現,實現業界領先的功率密度(100W/in3)。而TI的C2000即時微控制器提供複雜並具時效性的處理能力、精確控制、軟體和周邊產品可擴充性等,透過支援不同電源設計與高切換頻率的特性,能充分發揮GaN型電源解決方案潛能,以盡可能提高電源效率。

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