Transphorm發布了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用於LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電競電腦，加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。
不同於同類競爭的e-mode GaN解決方案需要採用定制驅動器或柵極保護元件的電平移位元電路，Transphorm的SuperGaN FET由於可以與市售的驅動器搭配使用，更易於驅動，因此可提升客戶使用Transphorm元件的成本優勢。本次發布的新款解決方案採用高速、非隔離式、高電壓半橋柵極驅動器，在不影響GaN FET或系統性能的情況下，進一步降低了系統總成本。
Transphorm業務發展和市場行銷高級副總裁Philip Zuk表示，Transphorm的常關型氮化鎵平台能夠與業界熟知的市售驅動器配合使用。能夠根據需要來選定驅動器，對客戶來說是一個非常重要的優勢。客戶可以為不同性能優勢權重的設計挑選相應的驅動，進而更好地控制電力系統的成本。這對價格敏感的終端市場尤為重要。Transphorm的GaN能夠提供更高性能，採用Transphorm的氮化鎵元件，客戶可以根據最終結果來挑選BOM，以極佳的成本效益實現所需的性能。
Transphorm還推薦各種其它驅動器，這些驅動具有高額定隔離電壓(控制至輸出的驅動訊號)、短延遲、快速開啟/關斷、以及可程式設計死區時間等優點，適合較高功率的應用。
電源適配器、電競筆記型電腦充電器、LED照明、以及兩輪車和三輪車充電等中低功率應用對價格非常敏感，這些產品中的電源系統通常不需要類似安全隔離這樣的先進功能，使用高階的驅動器可能導致BOM成本不必要升高。
該半橋柵極驅動器採用了Transphorm的650V、72mΩ PQFN88封裝元件TP65H070LSG進行測試。可用於橋式拓撲結構，如諧振半橋、圖騰柱PFC、正弦波逆變器或有源箝位元反激式電路。
測試結果表明，無論是否使用散熱器或強制空氣進行冷卻，該低成本的驅動解決方案在低於/等於150kHz的開關頻率下均運行良好。此解決方案最終在選定的配置中實現了接近99%的效率。
