Transphorm近日宣布，推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用產業標準，這表示TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件。新元件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可靠性，市場上主流的代工e-mode氮化鎵則缺乏這樣的可靠性。
三款表面貼裝型元件(SMD)可支援平均運行功率範圍為1至3千瓦的較高功率應用，這樣的電力系統常用於高性能領域，如運算(人工智慧、伺服器、電信、資料中心)、能源和工業(光伏逆變器、伺服電機)以及其他廣泛的工業市場。值得關注的是，該新型功率元件是人工智慧(AI)系統極佳解決方案，AI系統依賴於GPU，而GPU的功耗是傳統CPU的10到15倍。
目前，各種高性能領域的主流客戶開始採用Transphorm的高功率氮化鎵元件，為其高性能系統提供電力支援，應用領域包括資料中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等。新型TOLL封裝元件也能夠用於電動車的DC-DC轉換器和車載充電器應用，因為核心SuperGaN晶片已通過汽車產業(AEC-Q101)標準認證。
TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封裝類型，給予了客戶廣泛的封裝選擇，以滿足客戶的不同設計需求。與所有Transphorm產品一樣，該TOLL封裝元件利用了Transphorm常閉型d-mode SuperGaN平台所固有的性能和可靠性優勢。
Transphorm所發布之「Normally-off D-Mode氮化鎵電晶體的根本優勢」白皮書，所得結論與Transphorm於2023年初發布的一份對比報告一致，該比較顯示，在一款市售280W電競筆記型電腦充電器中，使用72毫歐SuperGaN FET直接替代尺寸更大的50毫歐e-mode元件，充電器的性能會更好。
該650V SuperGaN TOLL封裝元件性能穩健，且已獲得JEDEC資格認證。由於常閉型d-mode平台是將GaN HEMT與低電壓矽管配對，因此，SuperGaN FET可以簡單的選擇使用常用市售柵極驅動，應用於各種軟/硬開關的AC-DC、DC-DC和DC-AC拓撲中，提高功率密度，同時減小系統尺寸、重量和總成本。
SuperGaN TOLL 封裝元件目前可提供樣品。
