Transphorm發布1200伏GaN-on-Sapphire元件模擬模型

2023 年 06 月 01 日

Transphorm宣布推出其1200伏功率管模擬模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體。這款產品的發布展現Transphorm有能力支援未來的汽車電力系統,以及已普遍用於工業、資料通訊和可再生能源市場的三相電力系統。與替代技術相比,這些應用可受益於1200伏氮化鎵元件更高的功率密度及更優異的可靠性、同等或更優越的性能,以及更為合理的成本。Transphorm近期已驗證了氮化鎵元件在100kHz開關頻率的5kW 900伏降壓轉換器中更高的性能。1200伏氮化鎵元件實現了98.7%的效率,超過了具有類似額定值的量產SiC MOSFET。

創新的1200伏技術也展現了Transphorm在氮化鎵功率轉換方面的地位。垂直整合模式、自有外延片生產能力、以及專利工藝技術,再加上數十年的工程專業知識,使該公司能夠將性能最優異的氮化鎵元件組合推向市場,並且還在以下四個方面具有重大差異化優勢:可製造性、易驅動性、易設計和可靠性。

在5月9日至11日的PCIM 2023展會上,Transphorm也發表了關於1200伏元件的資訊。

Transphorm的1200伏技術以經過驗證的工藝和成熟的技術為基礎,滿足了客戶在可靠性方面的要求。GaN-on-Sapphire工藝目前在LED市場上已批量生產。此外,1200伏技術充分利用了Transphorm當前元件組合中使用的性能優越、常關型的氮化鎵平台。

TP120H070WS元件主要規格包括:內部阻值70毫歐、常關型、高效雙嚮導通、最大值±20V柵極電壓、4伏的柵極驅動低擾度、零QRR反向恢復電荷、3引腳TO-247封裝。

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